[發明專利]穿過負載開關的易感涌入電流的控制方法及對應的電子電路有效
| 申請號: | 201810753223.3 | 申請日: | 2018-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN109298743B | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發明(設計)人: | F·勒邦;L·舍瓦利耶 | 申請(專利權)人: | 意法半導體(ALPS)有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;呂世磊 |
| 地址: | 法國格*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 穿過 負載 開關 涌入 電流 控制 方法 對應 電子電路 | ||
1.一種通過流過開關的電流來控制涌入電流的方法,所述開關被耦合在輸入端子和輸出端子之間,所述輸入端子接收第一電壓,所述輸出端子被耦合到解耦電容器和負載,所述方法包括:
比較所述第一電壓和存在于所述輸出端子處的第二電壓;以及
根據所述比較的結果,在第一操作模式下,激活第一調節級,所述第一調節級限制在所述輸入端子和所述輸出端子之間流動的正涌入電流;以及
根據所述比較的所述結果,在第二操作模式下,激活第二調節級,所述第二調節級限制在所述輸出端子和所述輸入端子之間流動的負涌入電流。
2.根據權利要求1所述的方法,其中當所述第一電壓高于所述第二電壓時,所述第一調節級被激活以限制所述正涌入電流,并且其中當所述第二電壓高于所述第一電壓時,所述第二調節級被激活以限制所述負涌入電流。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一調節級通過以下方式限制所述正涌入電流:
將所述第二電壓的正變化轉換為第一中間電流的變化;
生成第一參考電流;以及
如果所述第一中間電流大于所述第一參考電流,則增加所述開關的開關晶體管的柵極的電壓。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述第二調節級通過以下方式限制所述負涌入電流:
將所述第二電壓的負變化轉換為第二中間電流的變化;
生成第二參考電流;以及
如果所述第二中間電流大于所述第二參考電流,則增加所述開關晶體管的所述柵極的電壓。
5.一種電子電路,包括:
開關,所述開關被耦合在輸入端子和輸出端子之間,所述輸入端子旨在接收第一電壓,所述輸出端子被耦合到解耦電容器并且還旨在被耦合到負載;
比較級,所述比較級被配置為比較所述第一電壓和存在于所述輸出端子處的第二電壓;
第一調節級,所述第一調節級被配置為限制在所述輸入端子和所述輸出端子之間流動的正涌入電流;
第二調節級,所述第二調節級被配置為限制在所述輸出端子和所述輸入端子之間流動的負涌入電流;以及
控制電路,所述控制電路被配置為根據所述比較的結果來激活所述第一調節級或所述第二調節級。
6.根據權利要求5所述的電路,其中,
所述控制電路被配置為:當所述第一電壓大于所述第二電壓時激活所述第一調節級,以限制所述正涌入電流;以及
所述控制電路被配置為:當所述第二電壓大于所述第一電壓時激活所述第二調節級,以限制所述負涌入電流。
7.根據權利要求6所述的電路,其中所述開關包括開關晶體管,并且所述第一調節級包括:
第一檢測電容器,所述第一檢測電容器被配置為經由第一電流鏡模塊將所述第二電壓的正變化轉換成第一中間電流的變化;
第一參考電流模塊,所述第一參考電流模塊被配置為生成第一參考電流;以及
第一電壓調節模塊,所述第一電壓調節模塊被配置為:如果所述第一中間電流大于所述第一參考電流,則增加所述開關晶體管的柵極的電壓。
8.根據權利要求7所述的電路,其中所述第二調節級包括:
第二檢測電容器,所述第二檢測電容器被配置為經由第二電流鏡模塊將所述第二電壓的負變化轉換成第二中間電流的變化;
第二參考電流模塊,所述第二參考電流模塊被配置為生成第二參考電流;以及
第二電壓調節模塊,所述第二電壓調節模塊被配置為:如果所述第二中間電流大于所述第二參考電流,則增加所述開關晶體管的所述柵極的電壓。
9.根據權利要求8所述的電路,其中:
所述第一參考電流模塊和所述第二參考電流模塊基本相同;
所述第一參考電流和所述第二參考電流基本相同;以及
所述第一電壓調節模塊和所述第二電壓調節模塊基本相同。
10.根據權利要求9所述的電路,其中所述開關晶體管包括第一pMOS晶體管。
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