[發明專利]一種自支撐石墨烯膜的制備方法有效
| 申請號： | 201810752835.0 | 申請日： | 2018-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN108793124B | 公開（公告）日： | 2020-06-23 |
| 發明（設計）人： | 高超;彭蠡;劉一晗;郭燕 | 申請（專利權）人： | 杭州高烯科技有限公司;浙江大學 |
| 主分類號： | C01B32/182 | 分類號： | C01B32/182;C01B32/198 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 黃歡娣;邱啟旺 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 支撐 石墨 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種自支撐石墨烯膜的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
（1）將石墨烯膜從AAO基底膜上剝離，具體為：將表面貼合有石墨烯膜的AAO基底膜以石墨烯膜所在的面朝上，置于水面上；按壓AAO基底膜，使得AAO基底膜下沉，石墨烯膜漂浮于水面；
（2）利用一基底將漂浮于水面的石墨烯膜從下往上撈起，使得石墨烯膜平鋪于基底表面，且石墨烯膜與基底之間具有一層水介質；
（3）將表面載有石墨烯膜的基底進行冷凍干燥，石墨烯膜自支撐，且與基底分離；
其中，所述石墨烯膜為還原后的氧化石墨烯膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟（1）中，按壓位置為AAO基底膜的邊緣。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯膜的厚度為4nm。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述AAO基底膜的表面的孔隙率不小于40%。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（2）中所述的基底為疏水基底。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（2）中所述的基底的上表面具有凹陷區域。
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