[發明專利]陶瓷的表面處理方法以及陶瓷制品有效
| 申請號： | 201810749536.1 | 申請日： | 2018-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN109251061B | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 間瀬恵二;石橋正三;近藤祐介 | 申請（專利權）人： | 株式會社不二制作所 |
| 主分類號： | C04B41/91 | 分類號： | C04B41/91 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 梁興龍;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷 表面 處理 方法 以及 陶瓷制品 | ||
1.一種用于陶瓷表面的表面處理方法，所述方法包括：
在0.01MPa～0.7MPa的噴射壓力下，將具有1μm～20μm的中值直徑d50的非角形形狀的噴射粒子與壓縮氣體一起噴射到處理區域的表面上，所述處理區域的表面是待進行表面處理的陶瓷表面的一部分，從而在所述處理區域的表面上形成凹坑并且實現所述處理區域的最快衰減自相關長度不小于10的值。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述凹坑形成為具有費雷特直徑比為0.7～1.43的平面圖輪廓。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述凹坑具有1μm～20μm的開口直徑和0.01μm～1μm的深度。
4.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述凹坑形成為使得所述凹坑的開口的總表面積不小于所述處理區域的表面積的50％。
5.根據權利要求3所述的方法，其中所述凹坑形成為使得所述凹坑的開口的總表面積不小于所述處理區域的表面積的50％。
6.一種陶瓷制品，所述陶瓷制品包括處理區域，所述處理區域是由陶瓷制成的表面部分的至少一部分，所述處理區域包括開口直徑為1μm～20μm且深度為0.01μm～1μm的凹坑，并且所述處理區域的表面具有最快衰減自相關長度不小于10的值。
7.根據權利要求6所述的陶瓷制品，其中所述凹坑具有費雷特直徑比為0.7～1.43的平面圖輪廓。
8.根據權利要求6或7所述的陶瓷制品，其中所述凹坑的開口的總表面積不小于所述處理區域的表面積的50％。
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