[發(fā)明專利]一種逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810748801.4
• 申請(qǐng)日: 2018-07-10
• 公開（公告）號(hào): CN108807510B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳萬(wàn)軍;李茂林;施宜軍;崔興濤;信亞杰;李佳;劉超;周琦;張波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/20
• 分類號(hào): H01L29/20;H01L29/778
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管，包括從下至上依次層疊設(shè)置的襯底(1)、GaN層(2)、AlGaN層(3)、鈍化層(4)和絕緣柵介質(zhì)(5)；所述AlGaN層(3)的Al摩爾組分從AlGaN層(3)底部到頂部逐漸增大，AlGaN層(3)與GaN層(2)形成異質(zhì)結(jié)；所述AlGaN層(3)上層兩端分別具有源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)，在源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)之間的AlGaN層(3)上層具有柵極結(jié)構(gòu)；所述柵極結(jié)構(gòu)包括通過刻蝕部分AlGaN層(3)形成的第一凹槽(10)、絕緣柵介質(zhì)(5)和金屬柵電極(9)，第一凹槽(10)的底部與側(cè)面覆蓋絕緣柵介質(zhì)(5)，金屬柵電極(9)填充在第一凹槽(10)中，且金屬柵電極(9)和第一凹槽(10)之間通過絕緣柵介質(zhì)(5)隔離，金屬柵電極(9)沿器件上表面向兩端延伸；所述源極結(jié)構(gòu)為嵌入AlGaN層(3)上表面一端且形成歐姆接觸的金屬源電極(6)；所述漏極結(jié)構(gòu)包括肖特基結(jié)構(gòu)和金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；所述肖特基結(jié)構(gòu)為在AlGaN層(3)上表面另一端形成肖特基接觸的第一金屬(7)；所述金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一個(gè)通過刻蝕部分AlGaN層(3)形成的第二凹槽(11)、絕緣柵介質(zhì)(5)和第二金屬(8)，第二凹槽(11)與第一金屬(7)相鄰，且絕緣柵介質(zhì)(5)沿第二凹槽(11)側(cè)面延伸至并覆蓋第二凹槽(11)的底部，在第二凹槽(11)中填充第二金屬(8)，第二金屬(8)還沿器件上表面向靠近柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)延伸，且第一金屬(7)與第二金屬(8)之間進(jìn)行電氣連接，兩電極之間保持相同電位；所述AlGaN層(3)中Al、Ga、N的組分分別為x、1-x、1，從AlGaN層(3)底部到頂部Al組分x由0到0.5漸變。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，AlGaN層(3)的厚度為5nm到12nm。