[發明專利]一種聚合物基介質阻擋放電等離子體激勵器老化狀態監測電路及監測方法

在審

• 申請號: 201810748047.4
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN108761246A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 吳云;卞棟梁;賈敏;宋慧敏
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍空軍工程大學
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種聚合物基介質阻擋放電等離子體激勵器老化狀態監測電路，包括高壓電源(101)、激勵器(102)、串聯電容(103)、高壓探針(201)和電壓探針(202)；其中高壓電源(101)、激勵器(102)、串聯電容(103)通過串聯的方式連接；高壓電源(101)的高壓輸出端接激勵器(102)的裸露電極(102-2)，高壓電源(101)的低壓端接地，高壓電源(101)的輸出電壓為0-20kV；輸出頻率為1-15kHz；串聯電容(103)的一端接激勵器(102)的覆蓋電極(102-3)，另一端接地，電容值為2nF-47nF；高壓探針(201)的高壓端接高壓電源(101)的高壓輸出端，高壓探針(201)的另一端接地，用于測量高壓電源(101)的輸出電壓；電壓探針(202)一端接串聯電容(103)的一端，另外一端接地，用于測量串聯電容(103)兩端的電壓；激勵器(102)的放電老化周期，即放電參數測量周期為0.5h-5h。

2.如權利要求1所述的聚合物基介質阻擋放電等離子體激勵器老化狀態監測電路，其中高壓電源(101)的輸出電壓范圍8-14kV，輸出頻率為4-12kHz；串聯電容(103)的電容值為10nF-33nF，選自I類陶瓷電容或云母電容；激勵器(102)的放電老化周期為1h-3h。

3.如權利要求2所述的聚合物基介質阻擋放電等離子體激勵器老化狀態監測電路，其中高壓電源(101)的輸出電壓為10kV，輸出頻率設為6kHz；串聯電容(103)選擇I類陶瓷電容，電容值大小為10nF；激勵器(102)的放電老化周期為3h。

4.如權利要求1至3的任何一項所述的聚合物基介質阻擋放電等離子體激勵器老化狀態監測電路，其中激勵器(102)為片狀材料，自上而下依次包括裸露電極(102-2)、絕緣介質(102-1)、覆蓋電極(102-3)和覆蓋材料(102-4)；絕緣介質(102-1)為片狀矩形材料，材料類型為聚合物；絕緣介質(102-1)為薄片狀材料；裸露電極(102-2)為長條矩形薄片；覆蓋材料(102-4)亦為片狀矩形材料，覆蓋材料(102-4)的形狀與絕緣介質(102-1)完全相同，因此能夠完全覆蓋絕緣介質(102-1)，覆蓋材料(102-4)用于屏蔽激勵器背部的放電；覆蓋電極(102-3)為片狀矩形材料；并且其中

裸露電極(102-2)貼附在絕緣介質(102-1)上表面偏左邊的位置；覆蓋材料(102-4)貼附在絕緣介質(102-1)下面；覆蓋電極(102-3)被夾在絕緣介質(102-1)與覆蓋材料(102-4)之間大致中間的位置處；并且，裸露電極(102-2)右邊緣的投影與覆蓋電極(102-3)的左邊緣重合；此外，覆蓋電極(102-3)左邊緣的兩端導圓角，以避免尖端放電。

5.如權利要求4所述的聚合物基介質阻擋放電等離子體激勵器老化狀態監測電路，其中絕緣介質(102-1)為矩形薄片，材料類型為聚酰亞胺、聚四氟乙烯、聚乙烯或硅橡膠，厚度為0.1-0.5mm，長度為40-100mm，寬度為40-100mm；裸露電極(102-2)材料類型為銅箔、鋁箔、金箔或鎢箔，長度為30-60mm，寬度為1-10mm；裸露電極(102-2)的長度方向與絕緣介質(102-1)的左、右邊緣平行；覆蓋材料(102-4)材料選擇為聚酰亞胺膠帶、玻璃布絕緣膠帶或聚酯絕緣膠帶，覆蓋材料(102-4)厚度為0.2-1mm；覆蓋電極(102-3)的長度方向與絕緣介質(102-1)的左、右邊緣平行，寬度方向與絕緣介質(102-1)的上、下邊緣平行；覆蓋電極(102-3)的材料類型為銅箔、鋁箔、金箔或鎢箔，長度為30-60mm，寬度為20-30mm；裸露電極(102-2)和覆蓋電極(102-3)的電極厚度為35±1μm。