[發明專利]半導體裝置和設備

有效

• 申請號: 201810747768.3
• 申請日: 2018-07-10
• 公開（公告）號: CN109244091B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 世森光裕;岡部剛士;柿沼伸明;岡川崇
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 柳愛國

1.一種半導體裝置，包括：

半導體基板；

導電部件，導電部件布置在半導體基板上方，并包括多晶硅層，多晶硅層具有第一部分、第二部分和第三部分，第三部分沿半導體基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之間；

層間絕緣膜，層間絕緣膜覆蓋導電部件；

第一氮化硅層，第一氮化硅層布置在層間絕緣膜和第三部分之間；

第二氮化硅層，第二氮化硅層布置在層間絕緣膜和第一部分之間以及在層間絕緣層和第二部分之間；

第一觸點插頭，第一觸點插頭布置在第一部分上方，第一觸點插頭穿透層間絕緣膜和第二氮化硅層，以便與導電部件連接；以及

第二觸點插頭，第二觸點插頭布置在第二部分上方，第二觸點插頭穿透層間絕緣膜和第二氮化硅層，以便與導電部件連接；

其中，第一氮化硅層沿所述方向布置在第一觸點插頭和第二觸點插頭之間，并與第一觸點插頭和第二觸點插頭分開；

其中，第一部分、第二部分和第三部分排列的方向設置為第一方向，與第一方向交叉、沿半導體基板的主表面延伸的方向設置為第二方向，以及

其中，第一氮化硅層延伸和布置成沿第二方向覆蓋多晶硅層的側表面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：第一氮化硅層布置在第二氮化硅層和導電部件之間。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：第二氮化硅層包括布置在層間絕緣膜和第三部分之間的區域。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中：在第一氮化硅層和導電部件之間的距離比第一氮化硅層和所述區域之間的距離短。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：第二氮化硅層和導電部件之間的距離比第一氮化硅層和導電部件之間的距離短。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：

第一氧化硅層布置在第一氮化硅層和多晶硅層之間，

第二氧化硅層布置在第一氮化硅層和第二氮化硅層之間，以及

第一氧化硅層與多晶硅層接觸。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：第二氮化硅層布置在第一氮化硅層和第一觸點插頭之間以及在第一氮化硅層和第二觸點插頭之間。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：

導電部件包括布置在多晶硅層和第一觸點插頭之間的第一硅化物部分和布置在多晶硅層和第一觸點插頭之間的第二硅化物部分；以及

第一硅化物部分和第二硅化物部分延伸和布置在第二氮化硅層和多晶硅層之間。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中：第二氮化硅層與第一硅化物部分和第二硅化物部分接觸。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：包括氮化硅層、覆蓋多晶硅層的側表面的側壁布置在半導體基板上方。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中：第二氮化硅層與側壁的氮化硅層接觸。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：

第一部分、第二部分和第三部分布置的方向設置為第一方向，與第一方向交叉、沿半導體基板的主表面延伸的方向設置為第二方向，以及

包括所述第一觸點插頭的第一多個觸點插頭布置在第一部分上方，所述第一多個觸點插頭穿透層間絕緣膜和第二氮化硅層，以便與導電部件連接，所述第一多個觸點插頭沿第二方向排列；以及

包括所述第二觸點插頭的第二多個觸點插頭布置在第二部分上方，所述第二多個觸點插頭穿透層間絕緣膜和第二氮化硅層，以便與導電部件連接，所述第二多個觸點插頭沿第二方向排列。