[發(fā)明專利]一種頂發(fā)射式微腔OLED顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810747676.5
• 申請(qǐng)日: 2018-07-10
• 公開（公告）號(hào): CN110164911B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏婉婉;顧鐵;錢棟;劉波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥視涯技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種頂發(fā)射式微腔OLED顯示裝置，其特征在于， 包括：陣列基板、設(shè)置在所述陣列基板上的反射金屬層、設(shè)置在所述反射金屬層上的陽極調(diào)制層、設(shè)置在所述陽極調(diào)制層上的有機(jī)發(fā)光層、設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層上的陰極層；所述有機(jī)發(fā)光層未圖案化，所述陽極調(diào)制層為半透明導(dǎo)電材料；

所述頂發(fā)射式微腔OLED顯示裝置包括多個(gè)子像素，所述陽極調(diào)制層分為多個(gè)陽極調(diào)制電極以對(duì)應(yīng)所述多個(gè)子像素；所述多個(gè)子像素至少分為第一種子像素、第二種子像素和第三種子像素，所述第一種子像素、第二種子像素和第三種子像素顯示不同顏色，并且所述第一種子像素、第二種子像素和第三種子像素所對(duì)應(yīng)的陽極調(diào)制電極的厚度不同；

所述第一種子像素的有機(jī)發(fā)光層及其所對(duì)應(yīng)的陽極調(diào)制電極的厚度和為290~310nm，所述第二種子像素的有機(jī)發(fā)光層及其所對(duì)應(yīng)的陽極調(diào)制電極的厚度和為240~260nm，所述第三種子像素的有機(jī)發(fā)光層及其所對(duì)應(yīng)的陽極調(diào)制電極的厚度和為190~210nm；

在所述第一種子像素上對(duì)應(yīng)設(shè)置有紅色濾光層，在所述第二種子像素和第三種子像素上未設(shè)置彩色濾光層；

所述第一種子像素所對(duì)應(yīng)的陽極調(diào)制電極的厚度為110~125nm，所述第二種子像素所對(duì)應(yīng)的陽極調(diào)制電極的厚度為65~75nm，所述第三種子像素所對(duì)應(yīng)的陽極調(diào)制電極的厚度為18~25nm；

所述有機(jī)發(fā)光層包括依次設(shè)置于所述陽極調(diào)制層之上的第一空穴傳輸層、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層、第一電子傳輸層、第二空穴傳輸層、紅綠有機(jī)發(fā)光材料層、第二電子傳輸層；

所述第一空穴傳輸層的厚度10~30nm之間，所述藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層的厚度為20~35nm，所述第一電子傳輸層和所述第二空穴傳輸層的厚度和為50~60nm，所述紅綠有機(jī)發(fā)光材料層的厚度為25~35nm，所述第二電子傳輸層的厚度為30~50nm；所述第一空穴傳輸層、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層、第一電子傳輸層、第二空穴傳輸層、紅綠有機(jī)發(fā)光材料層、第二電子傳輸層的折射率在1.7~1.9之間。

2.如權(quán)利要求1所述頂發(fā)射式微腔OLED顯示裝置，其特征在于，所述陽極調(diào)制層的材料為氧化銦錫。

3.一種頂發(fā)射式微腔OLED顯示裝置，其特征在于，

包括：陣列基板、設(shè)置在所述陣列基板上的反射陽極層、設(shè)置在所述反射陽極層上的微腔調(diào)制層、設(shè)置在所述微腔調(diào)制層上的有機(jī)發(fā)光層、設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層上的陰極層；所述有機(jī)發(fā)光層未圖案化；

所述頂發(fā)射式微腔OLED顯示裝置包括多個(gè)子像素，所述多個(gè)子像素至少分為第一種子像素、第二種子像素和第三種子像素；所述第一種子像素顯示紅色，所述第二種子像素顯示綠色，所述第三種子像素顯示藍(lán)色；

并且所述第一種子像素、第二種子像素和第三種子像素所對(duì)應(yīng)的微腔調(diào)制層的厚度不同；所述第一種子像素的有機(jī)發(fā)光層及其所對(duì)應(yīng)的微腔調(diào)制層的厚度和為290~310nm，所述第二種子像素的有機(jī)發(fā)光層及其所對(duì)應(yīng)的微腔調(diào)制層的厚度和為240~260nm，所述第三種子像素的有機(jī)發(fā)光層及其所對(duì)應(yīng)的微腔調(diào)制層的厚度和為190~210nm；

在所述第一種子像素上對(duì)應(yīng)設(shè)置有紅色濾光層，在所述第二種子像素和第三種子像素上未設(shè)置彩色濾光層；

所述第一種子像素所對(duì)應(yīng)的微腔調(diào)制層的厚度為110~125nm，所述第二種子像素的所對(duì)應(yīng)的微腔調(diào)制層的厚度為65~75nm，所述第三種子像素所對(duì)應(yīng)的微腔調(diào)制層的厚度為18~25nm；

所述有機(jī)發(fā)光層包括依次設(shè)置于所述微腔調(diào)制層之上的第一空穴傳輸層、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層、第一電子傳輸層、第二空穴傳輸層、紅綠有機(jī)發(fā)光材料層、第二電子傳輸層；

所述第一空穴傳輸層的厚度為10~30nm，所述藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層的厚度為20~35nm，所述第一電子傳輸層和所述空穴傳輸層的厚度和為50~60nm，所述紅綠有機(jī)發(fā)光材料層的厚度為25~35nm，所述第二電子傳輸層的厚度為30~50nm；所述第一空穴傳輸層、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層、第一電子傳輸層、第二空穴傳輸層、紅綠有機(jī)發(fā)光材料層、第二電子傳輸層的折射率在1.7~1.9之間。