[發明專利]一種非晶薄膜器件及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 201810745219.2 | 申請日： | 2018-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN108899418B | 公開（公告）日： | 2022-02-15 |
| 發明（設計）人： | 湯卉;唐新桂;劉秋香;蔣艷平;張天富 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張春水;唐京橋 |
| 地址： | 510060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 器件 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種非晶薄膜器件，其特征在于，包括：基底、第一電極結構、非晶薄膜層和第二電極結構；
所述第一電極結構設置于所述基底上；
所述非晶薄膜層設置在所述第一電極結構背離所述基底的一側；
所述第二電極結構設置在所述非晶薄膜層背離所述第一電極結構的一側，所述第一電極結構與所述第二電極結構相互接觸連接；
所述非晶薄膜層為SrFe0.1Ti0.9O3非晶薄膜層，所述非晶薄膜層的厚度為150nm～300nm。
2.根據權利要求1所述的非晶薄膜器件，其特征在于，所述基底為玻璃基底、硅片基底、單晶鈦酸鍶基底、摻鈮鈦酸鍶基底或鉑/鈦/氧化硅/硅(100)基底。
3.根據權利要求1所述的非晶薄膜器件，其特征在于，所述第一電極結構為鉑電極、LaNiO3電極、SrRuO3電極、LaRuO3電極、LaMnO3電極、SrMnO3電極、ITO電極或FTO電極。
4.根據權利要求1所述的非晶薄膜器件，其特征在于，所述第二電極結構為金電極、鉑電極、鎢電極、銀電極或鋁電極。
5.一種非晶薄膜器件的制備方法，其特征在于，包括：
在基底上形成第一電極結構后，在所述第一電極結構背離所述基底的一側形成非晶薄膜層，再在所述非晶薄膜層背離所述第一電極結構的一側形成第二電極結構；
其中，所述第一電極結構與所述第二電極結構相互接觸連接；
所述非晶薄膜層為SrFe0.1Ti0.9O3非晶薄膜層，所述非晶薄膜層的厚度為150nm～300nm。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述第一電極結構背離所述基底的一側形成非晶薄膜層包括：
將硝酸鐵前驅液滴加至硝酸鍶前驅液中得到第一混合液，再在所述第一混合液中滴加鈦酸丁酯前驅液形成SrFexTi1-xO3前驅液后，采用所述SrFexTi1-xO3前驅液在所述第一電極結構背離所述基底的一側進行涂覆，形成非晶薄膜層。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述非晶薄膜層背離所述第一電極結構的一側形成第二電極結構包括：
在所述非晶薄膜層的設定位置進行膜層去除，以暴露出所述第一電極結構；
在所述非晶薄膜層背離所述第一電極結構的一側形成所述第二電極結構，且所述第一電極結構與所述第二電極結構相互接觸連接。
8.權利要求1至權利要求4任意一項所述非晶薄膜器件或權利要求6至權利要求7任意一項所述制備方法制得的非晶薄膜器件在阻變存儲器中的應用。
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