[發明專利]電化學發光免疫傳感器用于制備SFTSV檢測試劑盒的應用

有效

• 申請號: 201810745154.1
• 申請日: 2018-07-09
• 公開（公告）號: CN108956588B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 丁收年;梁秀麗;劉金霞;左家瑩;趙春芹;徐來弟;朱凱迪;陸天
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G01N21/76
• 分類號: G01N21/76;G01N27/30;G01N33/532;G01N33/543;G01N33/569
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 吳飛

1.基于CdZnTeS量子點的電化學發光免疫傳感器用于制備SFTSV檢測試劑盒的應用，其特征在于，以SFTSV為抗原，制備CdZnTeS量子點標記的SFTSV的電化學發光免疫傳感器；所述SFTSV的電化學發光免疫傳感器為以Fe₃O₄@SiO₂為磁性載體的三明治型夾心免疫傳感器，包括表面修飾有SFTSV一抗的Fe₃O₄@SiO₂、CdZnTeS量子點標記的SFTSV二抗、以及通過抗原-抗體間相互作用與兩者分別連接的SFTSV抗原；所述表面修飾有SFTSV一抗的Fe₃O₄@SiO₂的非特異性結合位點被封閉；其中，所述SFTSV抗原為SFTSV核蛋白抗原，SFTSV一抗、SFTSV二抗為單克隆抗體，該單克隆抗體為Mab 0005、Mab 0004、Mab 0003、Mab 0007中的一種。

2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，所述SFTSV的電化學發光免疫傳感器的制備方法包括如下步驟：

1)制備表面修飾有SFTSV一抗的Fe₃O₄@SiO₂，封閉其非特異性結合位點；

2)制備CdZnTeS量子點標記的SFTSV二抗；

3)將表面修飾有SFTSV一抗的Fe₃O₄@SiO₂與CdZnTeS量子點標記的SFTSV二抗與SFTSV抗原連接。

3.根據權利要求2所述的應用，其特征在于，步驟1)中，先將戊二醛與表面氨基化的Fe₃O₄@SiO₂反應，得到戊二醛功能化的Fe₃O₄@SiO₂；然后使SFTSV一抗與戊二醛功能化的Fe₃O₄@SiO₂反應，通過交聯作用獲得表面修飾有SFTSV一抗的Fe₃O₄@SiO₂；最后用牛血清白蛋白封閉其非特異性結合位點。

4.根據權利要求2所述應用，其特征在于，步驟2)中，先將CdZnTeS量子點表面的羧基活化，然后將SFTSV的二抗與表面羧基被活化的CdZnTeS量子點反應，制得CdZnTeS量子點標記的SFTSV二抗。

5.根據權利要求4所述的應用，其特征在于，采用1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亞胺鹽酸鹽活化CdZnTeS量子點表面的羧基。

6.根據權利要求2所述的應用，其特征在于，所述CdZnTeS量子點的制備步驟包括：

(1)將0.8～1.5g CdCl₂·2.5H₂O和1.0～1.5g L-半胱氨酸溶于150mL超純水中，pH調節至10～11，得Cd前驅體溶液；

(2)將0.1～0.2g碲粉加入30mL超純水中并通N₂ 10min，加入0.1～0.2g NaHB₄，80℃下冷凝回流30～40min，得NaHTe前驅體；

(3)將20mL NaHTe前驅體溶液用注射器注入N₂氛圍下的Cd前驅體溶液中，于110℃下加熱30min；

(4)將0.1～0.15g ZnCl₂和0.15～0.25g L-半胱氨酸溶于30mL超純水中，制得ZnS前驅體溶液,將ZnS前驅體溶液全部加入到(3)中的混合液中，繼續于110℃下冷凝回流6～7h，得到CdZnTeS量子點。

7.根據權利要求2所述的應用，其特征在于，步驟3)中，先將步驟1)制得的非特異性結合位點被封閉的表面修飾有SFTSV一抗的Fe₃O₄@SiO₂與含有SFTSV抗原的PBS緩沖液于35～37℃振蕩1～2h，洗滌除去未特異性結合的SFTSV；然后將獲得的產物與步驟2)制得的CdZnTeS量子點標記的SFTSV二抗混合，并于35～37℃孵育1～2h，洗滌，得到SFTSV電化學發光免疫傳感器。