[發明專利]透射式納米絨面化InAlN基PETE太陽電池結構及其陰極的制備方法

有效

• 申請號: 201810744628.0
• 申請日: 2018-07-09
• 公開（公告）號: CN108933181B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 吳婕;戴文韜;賴彥潔;鄭冰欣;何歡;符躍春;沈曉明
• 申請（專利權）人: 廣西大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0304
• 代理公司: 廣州鼎賢知識產權代理有限公司 44502
• 代理人: 覃現凱

1.一種透射式納米絨面化InAlN基PETE太陽電池結構，其特征在于，由上而下依次包括以下結構：石英玻璃、透明導電層、ZnO納米線層、陰極、絕熱隔熱墊、陽極；所述的透明導電層為ITO、AZO或FTO導電玻璃；應用激光分子束外延和沉積系統將ZnO納米線形成在透明導電層上；所述陰極由上而下依次包括以下結構：AlN緩沖層、INAlN漸變吸收層和InN發射層；應用激光分子束外延和沉積系統依次沉積陰極的AlN緩沖層、INAlN漸變吸收層和InN發射層，最初的窗口層用AlN靶材來沉積，然后應用In靶材沉積得到INAlN層和InN層；所述陰極為In_xAl_1-xN疊層結構，其中x由上而下從0逐漸增大到1。

2.根據權利要求1所述的透射式納米絨面化InAlN基PETE太陽電池結構，其特征在于，所述絕熱隔熱墊采用O型墊圈，其厚度為0.1~3mm。

3.根據權利要求1所述的透射式納米絨面化InAlN基PETE太陽電池結構，其特征在于，所述陽極為金剛石薄膜陽極。

4.根據權利要求3所述的透射式納米絨面化InAlN基PETE太陽電池結構，其特征在于，所述金剛石薄膜陽極由熱絲CVD法制備而成。

5.一種太陽電池的In_xAl_1-xN疊層結構陰極的制備方法，其特征在于，

將已生長好ZnO納米線層的透明導電層作為襯底放入激光分子束外延和沉積系統中，環形In靶套在圓形AlN靶的外面，構成一個組合靶；

開啟一路激光照射圓形AlN靶，產生AlN羽輝，AlN沉積在襯底上，形成組分漸變的太陽能薄膜電池陰極的第一層，AlN緩沖層；

開啟兩路激光分別照射圓形AlN靶和環形In靶，同時產生AlN羽輝和In羽輝，形成InAlN沉積在襯底上，得到陰極的中間層，InAlN漸變吸收層；

開啟一路激光照射圓形靶材的環形周圍，同時向脈沖激光沉積系統的超高真空反應室中通入氮氣、氨氣或等離子氮源，在N等離子體氣體氛圍下，產生In羽輝，形成InN沉積在襯底上，得到InN發射層。