[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

有效

• 申請號: 201810744557.4
• 申請日: 2015-07-23
• 公開（公告）號: CN108878328B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 淺川雄二;綠川洋平;戶田聰;高橋宏幸
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供基板處理裝置和基板處理方法。在將被處理基板載置在載置臺上并利用處理氣體來進行基板處理時能進一步確保處理均勻性。用于在真空氣氛下利用處理氣體對作為被處理基板的晶圓(W)實施規定的處理的基板處理裝置(5)包括：腔室(40)，其被保持為真空氣氛，用于容納晶圓(W)；基板載置臺(41)，其用于在腔室(40)內載置晶圓(W)；氣體導入構件(42)，其用于向腔室(40)內導入含有處理氣體的氣體；分隔壁構件(44)，其以能夠進行升降的方式設置，用于形成分隔壁，該分隔壁在基板載置臺(41)的上方的包括晶圓(W)的區域中限定處理空間(S)；以及升降機構(45)，其用于使分隔壁構件(44)進行升降。

本申請是申請號為201510437109.6，申請日為2015年7月23日，發明創造名稱為“基板處理裝置和基板處理方法”的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及用于對基板實施處理的基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術

在半導體器件的制造過程中，對作為基板的半導體晶圓(以下，僅記作晶圓)重復進行蝕刻處理、成膜處理等各種處理而制造期望的器件。

以往，作為這樣的基板處理，大多使用對基板一張張進行處理的單片式的處理裝置。另外，要求提高這樣的處理裝置的生產率，也提出一種在維持單片式的平臺的基礎上一次處理兩張以上的基板的處理裝置(例如專利文獻1、2)。

在專利文獻1、2所公開的基板處理裝置中，在腔室內設置一個基板載置臺，以與基板載置臺相對的方式在基板載置臺的上方設置一個構成噴淋狀的氣體分散板，在基板載置臺上載置多張(兩張)基板，將腔室內保持為真空并自氣體分散板供給處理氣體，從而對基板進行規定的處理。

專利文獻1：日本特表2010－520649號公報

專利文獻2：日本特開2012－015285號公報

發明內容

發明要解決的問題

然后，在蝕刻處理等基板處理中，隨著基板的大型化而難以確保處理均勻性，除此以外，處理均勻性的要求越來越高，在所述專利文獻1、2的技術中，難以獲得期望的處理均勻性。即，在所述專利文獻1、2的技術中，由于多張基板的干涉等而產生溫度的不均勻、氣體供給的不均勻，從而難以獲得充分的處理均勻性。并且，連通常的單片式的處理裝置也存在不能確保充分的處理均勻性的情況。

本發明是鑒于這樣的情況而做出的，其課題在于，提供一種在將被處理基板載置在載置臺上并利用處理氣體來進行基板處理時、能夠進一步確保處理均勻性的基板處理裝置和基板處理方法。

用于解決問題的方案

為了解決所述問題，本發明的第1技術方案提供一種基板處理裝置，其用于在真空氣氛下利用處理氣體對被處理基板實施規定的處理，其特征在于，該基板處理裝置包括：腔室，其被保持為真空氣氛，用于容納被處理基板；基板載置臺，其用于在所述腔室內載置被處理基板；氣體導入構件，其用于向所述腔室內導入含有處理氣體的氣體；分隔壁構件，其以能夠進行升降的方式設于所述腔室內，用于形成分隔壁，該分隔壁在所述基板載置臺的上方的包括被處理基板的區域中限定處理空間；以及升降機構，其用于使所述分隔壁構件進行升降。

在所述第1技術方案中，能夠構成為，所述分隔壁構件具有用于限定處理空間的筒狀部和呈凸緣狀設于筒狀部的上部的凸緣部。優選的是，所述分隔壁構件具有設于所述凸緣部內的加熱器，利用所述加熱器的熱量來提高所述處理空間的均熱性。優選的是，所述加熱器設于所述凸緣部內的被保持為大氣壓的空間內。