[發明專利]一種增強背鈍化的PERC單面太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號: | 201810743818.0 | 申請日: | 2018-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN109065640A | 公開(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發明(設計)人: | 林綱正;方結彬;陳剛 | 申請(專利權)人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人: | 侯莉 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背面鈍化膜 開孔 太陽能電池 布設 背場 鈍化 開槽 全鋁 制備 發明制備工藝 光電轉換效率 設備投入成本 背銀電極 氮化硅膜 鈍化效果 硅片背面 依次設置 正銀電極 兼容性 背面 電池 貫通 生長 制作 改造 | ||
1.一種增強背鈍化的PERC單面太陽能電池,包括從下至上依次設置的背銀電極、全鋁背場、背面鈍化膜、P型硅、N型發射極、正面鈍化膜和正銀電極,在所述背面鈍化膜上開有貫通背面鈍化膜的開槽,全鋁背場通過開槽與所述P型硅相連,其特征在于:在所述P型硅的背面布設有開孔,所述背面鈍化膜部分位于所述開孔內,以增大背面鈍化膜的面積。
2.根據權利要求1所述的增強背鈍化的PERC單面太陽能電池,其特征在于:所述開孔為呈陣列分布的孔洞、或所述開孔為直線狀的長形孔、或所述開孔為短線狀的長形孔,短線狀長形孔排列成虛線形。
3.根據權利要求2所述的增強背鈍化的PERC單面太陽能電池,其特征在于:所述開孔的深度為5~50um。
4.根據權利要求3所述的增強背鈍化的PERC單面太陽能電池,其特征在于:所述孔洞為圓形孔,其直徑為20~200um;所述直線狀長形孔的寬度為20~200um;所述短線狀長形孔的寬度為20~200um。
5.根據權利要求4所述的增強背鈍化的PERC單面太陽能電池,其特征在于:所述背面鈍化膜包括背面氮化硅膜和氧化鋁膜,所述氧化鋁膜位于背面氮化硅膜的上表面上,所述背面氮化硅膜的厚度為50~500nm,所述氧化鋁膜的厚度為2~50nm。
6.根據權利要求5所述的增強背鈍化的PERC單面太陽能電池,其特征在于:所述正面鈍化膜采用氮化硅膜。
7.一種權利要求1所述增強背鈍化的PERC單面太陽能電池的制備方法,其特征在于具體包括以下步驟:
⑴在P型硅的背面布設開孔;
⑵在P型硅的正面形成絨面;
⑶在絨面上進行擴散,形成N型發射極;
⑷去除在擴散過程中形成的磷硅玻璃和周邊PN結,并對P型硅的背面進行拋光;
⑸對由步驟⑷所得產品進行退火;
⑹在由步驟⑸所得產品的正面沉積正面鈍化膜,再在背面沉積背面鈍化膜,背面鈍化膜部分沉積在開孔內,以增大背面鈍化膜的面積;或者在由步驟⑸所得產品的背面沉積背面鈍化膜,背面鈍化膜部分沉積在所述開孔內,以增大背面鈍化膜的面積,再在正面沉積正面鈍化膜;
⑺在由步驟⑹所得產品的背面上開設開槽,開槽貫通背面鈍化膜,使P型硅露于開槽中;
⑻在由步驟⑺所得產品的背面印刷背電極漿料并烘干;
⑼在由步驟⑻所得產品的背面印刷鋁漿并烘干;
⑽在由步驟⑼所得產品的正面印刷正電極漿料并烘干;
⑾對由步驟⑽所得產品進行高溫燒結,形成背銀電極、全鋁背場和正銀電極,全鋁背場通過開槽與P型硅相連;
⑿對由步驟⑾所得產品進行抗LID退火即得。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于:在所述步驟⑸中,退火的溫度為650~900度,時間為10~90min,氮氣流量為1~30slm,氧氣流量為1~30slm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





