[發(fā)明專利]電磁屏蔽膜、線路板及電磁屏蔽膜的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810743742.1
• 申請日: 2018-07-06
• 公開（公告）號: CN110691500A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇陟
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州方邦電子股份有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 44202 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 梁順宜;郝傳鑫

1.一種電磁屏蔽膜，其特征在于，包括屏蔽層和導(dǎo)電膠層，所述導(dǎo)電膠層設(shè)于所述屏蔽層上；所述屏蔽層靠近所述導(dǎo)電膠層的一面為平整表面，所述屏蔽層上設(shè)有貫穿其上下表面的通孔。

2.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層靠近所述導(dǎo)電膠層的一面上設(shè)有凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒。

3.如權(quán)利要求2所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述導(dǎo)體顆粒的高度為0.1μm-30μm。

4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層的厚度為0.1μm-45μm，所述導(dǎo)電膠層的厚度為1μm-80μm。

5.如權(quán)利要求1-3任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括保護膜層，所述保護膜層設(shè)于所述屏蔽層遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電膠層的一面上。

6.如權(quán)利要求1-3任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述通孔的面積為0.1μm²-1mm²。

7.如權(quán)利要求1-3任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，每平方厘米所述屏蔽層中的所述通孔的個數(shù)為10-1000個。

8.一種線路板，其特征在于，包括線路板本體以及如權(quán)利要求1-7任一項所述的電磁屏蔽膜，所述電磁屏蔽膜通過所述導(dǎo)電膠層與所述線路板本體相壓合，所述導(dǎo)電膠層與所述線路板本體的地層電連接。

9.一種電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成屏蔽層；其中，所述屏蔽層上形成有貫穿其上下表面的通孔，所述屏蔽層的一面為平整表面；

在所述屏蔽層的平整表面上形成導(dǎo)電膠層。

10.如權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，所述電磁屏蔽膜的制備方法還包括：

在所述屏蔽層遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電膠層的一面上形成保護膜層。

11.如權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，所述形成屏蔽層具體包括：

在載體膜上形成保護膜層；

在所述保護膜層上形成屏蔽層；或，

在帶載體的可剝離層表面形成屏蔽層；

在所述屏蔽層上形成保護膜層；

將所述帶載體的可剝離層剝離。

12.如權(quán)利要求9-11任一項所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述形成屏蔽層后還包括：

在所述屏蔽層的平整表面上形成凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒。

13.如權(quán)利要求12所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述屏蔽層的平整表面上形成凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒具體包括：

通過物理打毛、化學(xué)鍍、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍和混合鍍中的一種或多種工藝在所述屏蔽層的平整表面上形成導(dǎo)體顆粒。

14.如權(quán)利要求9-11任一項所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，

在所述屏蔽層的平整表面上形成導(dǎo)電膠層，具體為：

在離型膜上涂布導(dǎo)電膠層；

將所述導(dǎo)電膠層壓合轉(zhuǎn)移至所述屏蔽層的平整表面上；或，

在所述屏蔽層的平整表面上涂布導(dǎo)電膠層。