[發(fā)明專利]量子點(diǎn)發(fā)光層、量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810743690.8
• 申請(qǐng)日: 2018-07-09
• 公開（公告）號(hào): CN108878672B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘海政;常帥;陳小梅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

本發(fā)明涉及量子點(diǎn)發(fā)光層、量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法，屬于液晶顯示領(lǐng)域。該量子點(diǎn)發(fā)光層的制備方法包括：將第一鹵化物AX和第二鹵化物BX₂置于溶劑中；在設(shè)定溫度下，對(duì)反應(yīng)體系攪拌分散設(shè)定時(shí)間，以0.1℃?1℃/24h的降溫速率進(jìn)行降溫，生成包含ABX₃量子點(diǎn)的A₄BX₆單晶薄膜，作為所述量子點(diǎn)發(fā)光層；其中，A為Cs+、CH₃NH₃⁺、或者HC(NH₂)₂⁺；B為Pb²⁺、或者Sn²⁺；X為Cl^?、Br^?、或者I^?；所述第一鹵化物AX、所述第二鹵化物BX₂、所述溶劑的摩爾比為3?6：1：3?6。該方法解決了ABX₃量子點(diǎn)成膜性差的問(wèn)題。所形成的A₄BX₆單晶薄膜具有更高的發(fā)光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光層、量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

金屬鹵素鈣鈦礦材料指的是具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物，由于其量子限域效應(yīng)明顯、熒光量子產(chǎn)率較高、尺寸均一等特點(diǎn)，在光電應(yīng)用領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。

相關(guān)技術(shù)中，通過(guò)溶液旋涂?jī)刹椒ǎ来卧诩{米多空二氧化鈦薄膜上沉積PbI₂和CH₃NH₃I合成鈣鈦礦CH₃NH₃PbI₃多晶薄膜，并將其作為量子點(diǎn)發(fā)光層，用于量子點(diǎn)發(fā)光二極管中。或者，使金屬鹵素鈣鈦礦量子點(diǎn)與聚合物復(fù)合，形成含金屬鹵素鈣鈦礦量子點(diǎn)的薄膜。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在以下問(wèn)題：

鈣鈦礦多晶薄膜的發(fā)光效率較低，金屬鹵素鈣鈦礦量子點(diǎn)與聚合物復(fù)合，成膜性較差。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光層、量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法。

具體而言，包括以下的技術(shù)方案：

一方面，提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光層的制備方法，所述制備方法包括：將第一鹵化物AX和第二鹵化物BX₂置于溶劑中；

在設(shè)定溫度下，對(duì)反應(yīng)體系攪拌分散設(shè)定時(shí)間，以0.1℃-1℃/24h的降溫速率進(jìn)行降溫，生成包含ABX₃量子點(diǎn)的A₄BX₆單晶薄膜，作為所述量子點(diǎn)發(fā)光層；

其中，A為Cs+、CH₃NH₃⁺、或者HC(NH₂)₂⁺；

B為Pb²⁺、或者Sn²⁺；

X為Cl^-、Br^-、或者I^-；

所述第一鹵化物AX、所述第二鹵化物BX₂、所述溶劑的摩爾比為3-6：1：3-6。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述溶劑包括：體積比為1-5:1的有機(jī)溶劑和添加劑；

所述添加劑為氫鹵酸。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述設(shè)定溫度為60℃-80℃；

所述設(shè)定時(shí)間為20h-30h。