[發(fā)明專利]一種動(dòng)態(tài)前沿消隱電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810741539.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108880196B | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周澤坤;劉曉琳;容浚源;錢俊林;張波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H02M1/00 | 分類號(hào): | H02M1/00 |
| 代理公司: | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛啟函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 前沿消隱 輸入電壓 幅度判斷 延時(shí)模塊 輸入電壓下限 電路 消隱電路 輸出端 檢測 電子電路技術(shù) 輸出低電平 輸出端連接 輸入端連接 檢測輸入 輸出信號(hào) 自動(dòng)開始 輸出 電容 高電平 輸入端 消隱 延時(shí) 靈活 | ||
1.一種動(dòng)態(tài)前沿消隱電路,其特征在于,包括幅度判斷模塊和延時(shí)模塊,所述幅度判斷模塊的輸入端連接輸入電壓(VS),其輸出端連接所述延時(shí)模塊的輸入端,當(dāng)所述輸入電壓(VS)大于輸入電壓上限值(REFH)或小于輸入電壓下限值(REFL)時(shí),所述幅度判斷模塊的輸出端輸出低電平,當(dāng)所述輸入電壓(VS)小于輸入電壓上限值(REFH)且大于輸入電壓下限值(REFL)時(shí),所述幅度判斷模塊的輸出端輸出高電平;
所述延時(shí)模塊包括電容(C)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第十一NMOS管(MN11)、第十二NMOS管(MN12)、第十三NMOS管(MN13)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)和第八PMOS管(MP8),
第一PMOS管(MP1)的柵極作為所述延時(shí)模塊的輸入端,其漏極連接第八NMOS管(MN8)的漏極、第二NMOS管(MN2)和第二PMOS管(MP2)的柵極并通過電容(C)后連接電源電壓(BIAS),其源極連接第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第五PMOS管(MP5)和第七PMOS管(MP7)的源極以及第六NMOS管(MN6)的漏極并連接電源電壓(BIAS);
第三NMOS管(MN3)的柵極連接第一使能信號(hào)(ENB),其漏極連接偏置電流(IB),其源極連接第六NMOS管(MN6)的柵極、第四NMOS管(MN4)的柵極和漏極;
第五NMOS管(MN5)的柵漏短接并連接第七NMOS管(MN7)、第九NMOS管(MN9)、第十一NMOS管(MN11)和第十三NMOS管(MN13)的柵極以及第四NMOS管(MN4)的源極,其源極連接第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第七NMOS管(MN7)、第九NMOS管(MN9)、第十一NMOS管(MN11)和第十三NMOS管(MN13)的源極以及第六PMOS管(MP6)的漏極并接地(GND);
第八NMOS管(MN8)的柵極連接第六NMOS管(MN6)的源極、第七NMOS管(MN7)的漏極、第十NMOS管(MN10)和第十二NMOS管(MN12)的柵極,其源極連接第九NMOS管(MN9)的漏極;
第一NMOS管(MN1)的柵極連接第一使能信號(hào)的反相信號(hào)(-ENB),其漏極連接第二PMOS管(MP2)和第十NMOS管(MN10)的漏極并連接所述幅度判斷模塊的控制端;
第十NMOS管(MN10)的源極連接第十一NMOS管(MN11)的漏極;
第十二NMOS管(MN12)的源極連接第十三NMOS管(MN13)的漏極,其漏極連接第六PMOS管(MP6)的柵極、第四PMOS管(MP4)的柵極和漏極;
第五PMOS管(MP5)的柵極連接第三PMOS管(MP3)的柵極和漏極、第七PMOS管(MP7)的柵極和漏極以及第四PMOS管(MP4)和第八PMOS管(MP8)的源極,其漏極連接第六PMOS管(MP6)的源極和第八PMOS管(MP8)的柵極;
第八PMOS管(MP8)的漏極連接第二NMOS管(MN2)的漏極并作為所述動(dòng)態(tài)前沿消隱電路的輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)前沿消隱電路,其特征在于,所述幅度判斷模塊包括第一比較器(COMH)、第二比較器(COML)、第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第三反相器(INV3)、第一或非門(NOR1)、第一與非門(NAND1)、第二與非門(NAND2)、第三與非門(NAND3)和第四與非門(NAND4),
第一比較器(COMH)的同相輸入端連接所述輸入電壓(VS),其反相輸入端連接輸入電壓上限值(REFH),其輸出端連接第一或非門(NOR1)的第一輸入端;
第二比較器(COML)的反相輸入端連接所述輸入電壓(VS),其同相輸入端連接輸入電壓下限值(REFL),其輸出端連接第一或非門(NOR1)的第二輸入端;
第一與非門(NAND1)的第一輸入端連接第二使能信號(hào)(ENA),其第二輸入端連接第二與非門(NAND2)的第一輸入端和第一或非門(NOR1)的輸出端,其輸出端連接第二反相器(INV2)的輸入端;
第一反相器(INV1)的輸入端作為所述幅度判斷模塊的控制端,其輸出端連接第二與非門(NAND2)的第二輸入端;
第二與非門(NAND2)的輸出端連接第四與非門(NAND4)的第一輸入端;
第三與非門(NAND3)的第一輸入端連接第二反相器(INV2)的輸出端,其第二輸入端連接第四與非門(NAND4)的輸出端,其輸出端連接第四與非門(NAND4)的第二輸入端和第三反相器(INV3)的輸入端;
第三反相器(INV3)的輸出端作為所述幅度判斷模塊的輸出端。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810741539.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負(fù)載供電的變換裝置的設(shè)備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





