[發明專利]一種細胞毒性T細胞與淋巴管內皮細胞共培養的方法在審
| 申請號: | 201810739610.1 | 申請日: | 2018-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN108823161A | 公開(公告)日: | 2018-11-16 |
| 發明(設計)人: | 高戎戎;佟艷輝 | 申請(專利權)人: | 上海中溢精準醫療科技有限公司 |
| 主分類號: | C12N5/0783 | 分類號: | C12N5/0783;C12N5/078 |
| 代理公司: | 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于曉菁 |
| 地址: | 200021 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 細胞毒性T細胞 淋巴管內皮細胞 抗原遞呈細胞 樹突狀細胞 技術缺陷 殺傷能力 細胞工程 傳統的 商品化 避開 細胞 生長 | ||
本發明涉及細胞工程領域,公開了一種細胞毒性T細胞的培養方法,通過細胞毒性T細胞與淋巴管內皮細胞進行共培養,避開了傳統的以樹突狀細胞(DC)作為抗原遞呈細胞進行共培養時存在的技術缺陷,培養出活性更高、生長速度更快、殺傷能力更強的T細胞。本發明的方法成本低、細胞質量高,適合用于T細胞的商品化大規模生產。
技術領域
本發明涉及細胞工程領域,尤其涉及一種細胞毒性T細胞與淋巴管內皮細胞共培養的方法。
背景技術
細胞的過繼免疫治療是通過體外活化和擴增自體或異體免疫效應細胞后輸注患者體內的一種治療方法,該方法克服了以往效應細胞增殖數量少,需大量輸注IL-2,提升白細胞效價較低及副作用大等缺點,對于促進患者免疫系統的重建、骨髓凈化、微小殘留病灶的清除以及防止腫瘤的復發和轉移等均具有重要的意義。
近年來細胞的過繼免疫治療已成為生物治療的重要分支,例如CAR-T治療方法等已經在臨床試驗中顯示出良好的靶向性、殺傷性和持久性,展示了巨大的發展潛力和應用前景。目前已經在美國FDA獲批的CAR-T細胞藥物包括,用于治療兒童和青年急性淋巴細胞白血病的Kymriah(Tisagenlecleucel,CTL-019),用于治療其他療法無效或既往至少接受過兩種方案治療后復發的特定類型的成人大B細胞淋巴瘤患者的Yescarta(AxicabtageneCiloleucel,KTE-C10)等。
過繼免疫細胞治療的發展對于免疫細胞的體外擴增技術提出了更高的要求。目前免疫細胞的體外擴增通常需要外源性細胞因子,如IL-2、IL-15、IFN-γ等的輔助,這些因子控制著人免疫系統內特異性細胞的擴增及其生物學活性。在基礎研究中,細胞毒性T淋巴細胞(CTL)作為一種效應T細胞受MHC限制,需要抗原遞呈細胞的激活,樹突狀細胞(DC)作為細胞毒性T淋巴細胞(CTL)免疫細胞體外增殖誘導的重要抗原遞呈細胞(APCs),也是CTL常用的體外共培養細胞,但是DC細胞存在貼壁不牢,凍存復蘇后成活率低,抗原遞呈作用和對T細胞激活作用有限等缺陷,造成很多培養上的技術難點,并且DC細胞需要體外用特異性抗原或者廣譜抗原的激活,這些抗原激活物質的激活效率有限,且其殘留物可能會造成一定的副作用。
針對于目前國內外臨床上用于輔助治療、醫療保健及Car-T研究中的T細胞在商品化大規模生產中的諸多缺陷,如成本較高,抗原遞呈樹突細胞生長速度慢、貼壁不牢,凍存后無法重復使用,細胞活性問題及免疫細胞對腫瘤細胞或衰老損傷的細胞殺傷能力問題和免疫排斥反應等研究現狀,亟需開發一種能夠培養出生長速度快、殺傷能力強的T細胞,且成本更低,適合大規模生產的T細胞培養方法。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種低成本、適合大規模生產的T細胞培養方法,且通過該方法培養的T細胞生長速度更快、殺傷能力更強,能夠滿足臨床輔助治療及CAR-T治療方法的需求。
為實現以上發明目的,本發明提供了一種細胞毒性T細胞與淋巴管內皮細胞(LEC)共培養的方法,通過細胞毒性T細胞與淋巴管內皮細胞進行共培養,避開了傳統的以樹突狀細胞(DC)作為抗原遞呈細胞進行共培養時存在的技術缺陷,培養出活性更高、生長速度更快、殺傷能力更強的T細胞。
在本發明的一個方面,提供一種T細胞培養方法,所述培養方法中將T細胞與淋巴管內皮細胞進行共培養。優選的,所述T細胞為細胞毒性T細胞(CTL)。
在本發明的一個具體實施方式中,將T細胞與淋巴管內皮細胞在無血清培養基中進行共培養,進一步的,可在培養基中加入細胞因子,可選的,所述細胞因子為OKT3、IFN-γ、IL-2、IL-15中的一種或幾種,優選的,所述細胞因子為IL-2,更優選的,本發明培養方法使用的培養基中含有OKT3、IFN-γ、IL-2和IL-15。經過體外大規模擴增之后,IL-2、IL-15、OKT3等誘導的擴增產物的殺傷活性明顯優于普通培養的免疫細胞的擴增情況。可選的,本發明培養方法使用的培養基中還可含有KSR。
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