[發(fā)明專利]球柵陣列的封裝結構及其封裝方法

有效

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• 申請日: 2018-07-06
• 公開（公告）號: CN108899283B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 梁新夫;王亞琴
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 蘇婷婷

1.一種球柵陣列的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括：

提供一基板，所述基板的一側表面至少具有用于設置焊球的第一區(qū)域及第二區(qū)域；所述第一區(qū)域對應功能芯片；

于所述第一區(qū)域焊接至少一個第一焊球，于所述第二區(qū)域焊接至少一個第二焊球，所述第一焊球與所述第二焊球的至少一參數(shù)不同，所述參數(shù)包括熱傳導性能、熱膨脹系數(shù)及尺寸；

其中，所述第一焊球具有第一熱傳導性能，所述第二焊球具有第二熱傳導性能，所述第一熱傳導性能高于所述第二熱傳導性能；

所述第一焊球的熱膨脹系數(shù)高于所述第二焊球的熱膨脹系數(shù)；

所述第一焊球具有第一尺寸，所述第二焊球具有第二尺寸，所述第一尺寸等于所述第二尺寸。

2.根據權利要求1所述的球柵陣列的封裝方法，其特征在于，所述第一焊球為金屬焊球，所述第二焊球為樹脂焊球或全錫焊球至少其中之一；所述金屬焊球包括：第一內核及包覆第一內核的第一外核，所述第一內核為熱傳導性能及熔點均高于錫的金屬材質，所述第一外核為錫材質；所述樹脂焊球包括：第二內核及包覆第二內核的第二外核，所述第二內核為樹脂材質，所述第二外核為錫材質；所述全錫焊球的材質為錫；所述樹脂焊球的熱膨脹系數(shù)低于所述金屬焊球的熱膨脹系數(shù)；所述全錫焊球的熱膨脹系數(shù)低于所述金屬焊球的熱膨脹系數(shù)。

3.根據權利要求1所述的球柵陣列的封裝方法，其特征在于，所述第一焊球為全錫焊球，所述第二焊球包括樹脂焊球；

所述樹脂焊球包括：第二內核及包覆第二內核的第二外核，所述第二內核為樹脂材質，所述第二外核為錫材質；所述全錫焊球的材質為錫；所述樹脂焊球的熱膨脹系數(shù)低于所述全錫焊球的熱膨脹系數(shù)，所述樹脂焊球的熱傳導性能低于所述全錫焊球的熱傳導性能。

4.根據權利要求3所述的球柵陣列的封裝方法，其特征在于，所述第二焊球還包括全錫焊球。

5.一種球柵陣列的封裝結構，所述封裝結構包括：基板，設置于所述基板上表面的元器件，用于封裝所述元器件的塑封料，以及植入所述基板下方的焊球；

其特征在于，所述焊球包括至少一參數(shù)不同的第一焊球及第二焊球，所述參數(shù)包括熱傳導性能、熱膨脹系數(shù)及尺寸；

所述基板下表面至少具有用于植入第一焊球的第一區(qū)域及用于植入第二焊球的第二區(qū)域；

所述元器件包括功能芯片，對應所述功能芯片的基板下方為第一區(qū)域；

其中，所述第一焊球具有第一熱傳導性能，所述第二焊球具有第二熱傳導性能，所述第一熱傳導性能高于所述第二熱傳導性能；

所述第一焊球的熱膨脹系數(shù)高于所述第二焊球的熱膨脹系數(shù)；

所述第一焊球具有第一尺寸，所述第二焊球具有第二尺寸，所述第一尺寸等于所述第二尺寸。

6.根據權利要求5所述的球柵陣列的封裝結構，其特征在于，所述第一焊球為金屬焊球，所述第二焊球為樹脂焊球或全錫焊球至少其中之一；

所述金屬焊球包括：第一內核及包覆第一內核的第一外核，所述第一內核為熱傳導性能及熔點均高于錫的金屬材質，所述第一外核為錫材質；所述樹脂焊球包括：第二內核及包覆第二內核的第二外核，所述第二內核為樹脂材質，所述第二外核為錫材質；所述全錫焊球的材質為錫；所述樹脂焊球的熱膨脹系數(shù)低于所述金屬焊球的熱膨脹系數(shù)；所述全錫焊球的熱膨脹系數(shù)低于所述金屬焊球的熱膨脹系數(shù)。

7.根據權利要求5所述的球柵陣列的封裝結構，其特征在于，所述第一焊球為全錫焊球，所述第二焊球包括樹脂焊球；

所述樹脂焊球包括：第二內核及包覆第二內核的第二外核，所述第二內核為樹脂材質，所述第二外核為錫材質；所述全錫焊球的材質為錫；所述樹脂焊球的熱膨脹系數(shù)低于所述全錫焊球的熱膨脹系數(shù)，所述樹脂焊球的熱傳導性能低于所述全錫焊球的熱傳導性能。

8.根據權利要求7所述的球柵陣列的封裝結構，其特征在于，所述第二焊球還包括全錫焊球。