[發明專利]一種N摻雜Ge-Se-As OTS材料、OTS選通器單元及其制備方法在審
| 申請號： | 201810736747.1 | 申請日： | 2018-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN109103330A | 公開（公告）日： | 2018-12-28 |
| 發明（設計）人： | 吳良才;劉廣宇;宋志棠;陳瑩;張菁;封松林 | 申請（專利權）人： | 東華大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 選通器 低電阻態 高電阻態 外部電場 制備 化學通式 熱穩定性 電壓低 開關比 | ||
1.一種N摻雜Ge-Se-As OTS材料，其特征在于，所述材料的化學通式為GeSeAs0.2Nx，其中0<x<1.0。
2.根據權利要求1所述的材料，其特征在于，所述0.1<x<0.5。
3.一種如權利要求1所述的N摻雜Ge-Se-As OTS材料的制備方法，其特征在于，采用濺射法、離子注入法、蒸發法、化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法或原子層沉積法制備而成。
4.一種OTS選通器單元，結構包括下電極層、上電極層及位于上、下電極層之間的OTS材料層，其特征在于，所述OST層包含權利要求1所述的N摻雜Ge-Se-As OTS材料。
5.根據權利要求4所述的選通器單元，其特征在于，所述上電極層與OTS材料層之間和/或下電極層與OTS材料層之間設有阻擋層。
6.根據權利要求5所述的選通器單元，其特征在于，所述阻擋層為碳薄膜或者碳化物薄膜。
7.根據權利要求4所述的選通器單元，其特征在于，所述上、下電極層的材料包括：單金屬材料或由所述單金屬材料中的任意兩種或多種組合成的合金材料，或所述單金屬材料的氮化物、碳化物或氧化物。
8.一種如權利要求4所述的選通器單元的制備方法，包括：
形成下電極層、OST層、上電極層；
在所述上電極層上形成引出電極，把上電極層、下電極層通過所述引出電極與器件的存儲單元、驅動電路及外圍電路集成。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，包括：
形成下電極層，在下電極層上形成下阻擋層，下阻擋層上形成OTS材料層，再在OST材料層上形成上阻擋層，上阻擋層上形成上電極層；
在所述上電極層上形成引出電極，把上電極層、下電極層通過所述引出電極與器件的存儲單元、驅動電路及外圍電路集成。
10.根據權利要求8、9任一所述的制備方法，其特征在于，所述下電極層、所述OTS層、所述上電極層及所述引出電極的方法包括：濺射法、蒸發法、化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法或原子層沉積法中的一種。
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