[發明專利]制造透明導電薄膜的方法在審
| 申請號: | 201810736442.0 | 申請日: | 2018-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN108962436A | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發明(設計)人: | 曾海軍;錢娟;佘天宇 | 申請(專利權)人: | 無錫眾創未來科技應用有限公司 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;H01B1/08;H01B13/00 |
| 代理公司: | 廣州市百拓共享專利代理事務所(特殊普通合伙) 44497 | 代理人: | 盧剛 |
| 地址: | 214100 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明導電薄膜 電阻 變異性 致密 吸附 預設 制造 納米粉體溶膠 透明材料表面 電阻值差異 后處理 薄膜電阻 表面涂布 成膜設備 導電薄膜 透明材料 旋轉涂布 抽真空 涂布層 烘烤 浸鍍 薄膜 清潔 轉化 | ||
1.一種制造透明導電薄膜的方法,其包括:
步驟一、表面涂布,選用清潔完成的透明材料,以浸鍍或旋轉涂布的方式,將納米粉體溶膠涂布在所述透明材料表面形成薄而均勻的涂布層;
步驟二、后處理,將涂布完成的透明導電薄膜元件,以預設的溫度烘烤,使得涂布完成的透明導電薄膜轉化成均勻、致密而吸附良好的透明導電薄膜,使其達到預設電阻值且電阻值差異性小。
2.如權利要求1所述的制造透明導電薄膜的方法,其特征在于,所述方法產生的透明導電薄膜電阻值介于10至1000歐姆/平方(ohm/square)之間。
3.如權利要求1所述的制造透明導電薄膜的方法,其特征在于,所述步驟一中采用的透明材料包括塑膠材料或玻璃材料。
4.如權利要求3所述的制造透明導電薄膜的方法,其特征在于,所述步驟一中采用的塑膠材料包括壓克力、聚碳酸或聚苯乙稀。
5.如權利要求3所述的制造透明導電薄膜的方法,其特征在于,其步驟二后處理中,采用玻璃材料作為步驟一中所述的透明材料時,所述玻璃材料的的煅燒溫度范圍為200℃~400℃,煅燒時間為30分鐘~4小時,且經過上述處理的透明導電薄膜,片電阻在10~1000ohm/square之間,可見光的平均穿透率在80%以上。
6.如權利要求3所述的制造透明導電薄膜的方法,其特征在于,其步驟二后處理中,采用塑膠材料作為步驟一中所述的透明材料時,其步驟二后處理程序中,透明塑膠材料以微波處理,所使用的微波頻率為2.45GHz,功率為100~1500W,時間為5秒至30分鐘,且經過上述處理的透明導電薄膜,片電阻約在10~1000ohm/square之間,可見光的平均穿透率在80%以上。
7.如權利要求1所述的制造透明導電薄膜的方法,其特征在于,其中該透光材料表面涂布所使用的納米粉體溶膠為氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、四氧化鋅錫(Zn2SnO4)、三氧化鋅錫(ZnSnO3)、氧化鋅銦(Zn2In2O5)、氧化銦錫(In2O3·SnO2)、氧化銻錫(Sb2O3·SnO2)、氧化鋅鋁(ZnO·Al2O3)或氧化錫氟(SnO2·F)納米粉體溶膠,其納米粉體粒子粒徑分布為1~100nm,固含量為0.1~10.0%,pH為4.0~9.0。
8.如權利要求1所述的制造透明導電薄膜的方法,其特征在于,其中該透光材料表面涂布所使用的納米粉體溶膠為氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)或氧化鋁(Al2O3)納米粉體溶膠。
9.如權利要求7或8所述的制造透明導電薄膜的方法,其特征在于,其中涂布所述納米粉體溶膠的方式是以浸鍍或旋轉涂布的方式進行,涂布時該納米粉體溶膠溶液的溫度控制范圍為5~80℃,浸鍍的浸泡暫停時間為5秒至10分鐘,浸泡后的拉升速度為10~400毫米/分鐘(mm/min),且旋轉涂布的轉速為600~3,00rpm,時間為30秒~5分鐘,表面涂布完成后進行烘干,烘干的溫度為60~200℃,且烘干時間為10~60分鐘。
10.如權利要求1所述的制造透明導電薄膜的方法,其特征在于,所述制造透明導電薄膜的方法包括步驟三,將步驟二得到的透明導電薄膜采用金屬電漿離子源植入,在加速電壓10~80KeV,時間1~10分鐘條件下,將鋁、氟或鎵元素值入薄膜,且相對于薄膜質量的值入量為1~15%,所得透明導電薄膜的電阻為0.3~10ohm/square。
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