[發(fā)明專(zhuān)利]用于真空滅弧室的高強(qiáng)韌性和高絕緣強(qiáng)度的陶瓷制備工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810735725.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108585909B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳益飛;常玉斌 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 七七七電氣科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C04B35/80 | 分類(lèi)號(hào): | C04B35/80;C04B35/584;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司: | 溫州市品創(chuàng)專(zhuān)利商標(biāo)代理事務(wù)所(普通合伙) 33247 | 代理人: | 程春生 |
| 地址: | 325000 浙江省溫州市樂(lè)清市翁*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 真空 滅弧室 高強(qiáng) 韌性 絕緣 強(qiáng)度 陶瓷 制備 工藝 | ||
1.一種用于真空滅弧室的高強(qiáng)韌性和高絕緣強(qiáng)度的陶瓷制備工藝,所述制備工藝包括如下步驟:提供氮化硅粉體以及氮化硼粉體,其中,以重量份計(jì),氮化硅粉體占90份,氮化硼粉體占80份;將氮化硅粉體以及氮化硼粉體混合并進(jìn)行第一球磨,得到SiBN粉末;提供短切碳纖維以及碳酸鈣晶須;將SiBN粉末、短切碳纖維以及碳酸鈣晶須混合并進(jìn)行第二球磨,得到改性SiBN粉末;對(duì)改性SiBN粉末進(jìn)行第一熱處理,得到第二改性SiBN粉末;對(duì)第二改性SiBN粉末進(jìn)行第一急冷處理,得到第三改性SiBN粉末;對(duì)第三改性SiBN粉末進(jìn)行真空熱壓燒結(jié),得到陶瓷塊;對(duì)陶瓷塊進(jìn)行第二急冷處理,得到高強(qiáng)韌性和高絕緣強(qiáng)度的陶瓷塊,在改性SiBN粉末中,以重量份計(jì),SiBN粉末占80份、短切碳纖維占6份以及碳酸鈣晶須占5份,第一球磨具體為:使用行星球磨機(jī)進(jìn)行球磨,其中,球磨氣氛為真空氣氛,球磨氣壓低于0.05Pa,主轉(zhuǎn)盤(pán)轉(zhuǎn)速為150r/min,行星盤(pán)轉(zhuǎn)速為550r/min,球磨時(shí)間為7h,第二球磨具體為:使用行星球磨機(jī)進(jìn)行球磨,其中,球磨氣氛為真空氣氛,球磨氣壓低于0.05Pa,主轉(zhuǎn)盤(pán)轉(zhuǎn)速為450r/min,行星盤(pán)轉(zhuǎn)速為900r/min,球磨時(shí)間為2h,對(duì)改性SiBN粉末進(jìn)行第一熱處理具體為:熱處理氣壓低于0.01Pa,熱處理溫度為600℃,熱處理時(shí)間為6h,對(duì)第二改性SiBN粉末進(jìn)行第一急冷處理具體為:將盛放第二改性SiBN粉末的容器放入液氮中,急冷處理時(shí)間為70s,對(duì)第三改性SiBN粉末進(jìn)行真空熱壓燒結(jié)具體為:燒結(jié)氣壓低于0.01Pa,燒結(jié)溫度為1800℃,燒結(jié)壓力為100MPa,燒結(jié)時(shí)間為15min,在升溫過(guò)程中,當(dāng)溫度低于1000℃時(shí),升溫速率為120℃/min,當(dāng)溫度處于1000-1700℃時(shí),升溫速率為40℃/min,對(duì)陶瓷塊進(jìn)行第二急冷處理具體為:提供溫度低于5℃的惰性氣體,向陶瓷塊噴射惰性氣體,噴射速度為400mL/s,噴射時(shí)間為3.5min。
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