[發(fā)明專利]氮化鋁基石墨烯TES超導器件及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810733474.5 | 申請日： | 2018-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN108899412A | 公開（公告）日： | 2018-11-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 胡海濤 | 申請（專利權）人： | 江蘇心磁超導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L39/12 | 分類號： | H01L39/12;H01L39/24;G01J5/20 |
| 代理公司： | 石家莊輕拓知識產權代理事務所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 王占華 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨烯 超導器件 氮化鋁基 氮化鋁 制作 器件技術領域 單層石墨烯 石墨烯材料 超導薄膜 器件工藝 熱沉基板 散熱系數 聲子耦合 太赫茲波 制作工藝 襯底層 高散熱 熱耦合 襯底 二維 硅基 兼容 探測 響應 恢復 | ||
1.一種氮化鋁基石墨烯TES超導器件，其特征在于：包括氮化鋁襯底層（1），所述氮化鋁襯底層（1）的上側設置有石墨烯層（2），所述石墨烯層（2）的上側設置有超導薄膜層（3）。
2.如權利要求1所述的氮化鋁基石墨烯TES超導器件，其特征在于：所述器件還包括位于石墨烯層（2）與所述超導薄膜層（3）之間的Ti 薄膜層（4）。
3.如權利要求1所述的氮化鋁基石墨烯TES超導器件，其特征在于：所述超導薄膜層（3）包括位于下側的聲子超導薄膜層（31）以及位于上側的電子超導薄膜層（32）。
4.如權利要求3所述的氮化鋁基石墨烯TES超導器件，其特征在于：所述聲子超導薄膜層（31）的制作材料為Au或Pd。
5.如權利要求3所述的氮化鋁基石墨烯TES超導器件，其特征在于：所述電子超導薄膜層（32）的制作材料為Ti。
6.一種氮化鋁基石墨烯TES超導器件的制作方法，其特征在于包括如下步驟：
在氮化鋁襯底層（1）上轉移一層單層石墨烯層（2）作為熱沉基板；
在所述石墨烯層（2）上制作超導薄膜層（3），通過所述超導薄膜層（3）實現對太赫茲波的探測。
7.如權利要求6所述的氮化鋁基石墨烯TES超導器件的制作方法，其特征在于：所述石墨烯層（2）采用CVD生長獲得。
8.如權利要求6所述的氮化鋁基石墨烯TES超導器件的制作方法，其特征在于：所述超導薄膜層（3）通過電子束蒸發(fā)或磁控濺射的方式生長，且其厚度為30nm-60nm。
9.如權利要求6所述的氮化鋁基石墨烯TES超導器件的制作方法，其特征在于：所述超導薄膜層（3）包括位于下側的聲子超導薄膜層（31）以及位于上側的電子超導薄膜層（32），所述聲子超導薄膜層（31）的制作材料為Au或Pd，所述電子超導薄膜層（32）的制作材料為Ti，在生長所述超導薄膜層（3）之前先沉積一層厚度為10nm-15 nm的Ti 薄膜。
10.如權利要求6所述的氮化鋁基石墨烯TES超導器件的制作方法，其特征在于：所述超導薄膜層（3）生長完畢之后，做一次光刻， 通過刻蝕的方法完成所述薄膜的圖形化，形成具有特定尺寸的 TES超導器件。
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