[發(fā)明專利]一種類晶閘管過流保護(hù)電路及過流保護(hù)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810732744.0
• 申請日: 2018-07-05
• 公開（公告）號: CN108880516A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇斌;劉建紅;張冰鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 西安微電子技術(shù)研究所
• 主分類號: H03K17/082
• 分類號: H03K17/082
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 張弘

1.一種類晶閘管過流保護(hù)電路，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)輸入端、類晶閘管保護(hù)電路、VDMOS管M及采樣反饋電路；所述的類晶閘管保護(hù)電路包括NPN三極管T1和PNP三極管T2，所述的采樣反饋電路包括采樣電阻R0，

驅(qū)動(dòng)輸入端的一側(cè)與VDMOS管M的柵極連接，源級與電源連接，漏極連接采樣電阻R0的一端；PNP三極管T2的發(fā)射極與VDMOS管M的柵極連接，PNP三極管T2的基極與NPN三極管T1的集電極連接，PNP三極管T2的基極與NPN三極管T1的發(fā)射極均與電阻R2的一端連接，電阻R2的另一端與VDMOS管M的漏極連接；NPN三極管T1的發(fā)射極與電阻R1的一端連接，PNP三極管T2的基極與電容C1一側(cè)連接；電容C1另一側(cè)、電阻R1另一端及采樣電阻R0另一端均與驅(qū)動(dòng)輸入端的另一側(cè)連接；采樣電阻R0與接地之間串聯(lián)有負(fù)載電阻RL。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種類晶閘管過流保護(hù)電路，其特征在于，所述的采樣電阻R0的阻值范圍為1毫歐到10歐。

3.如權(quán)利要求1或2所述的一種類晶閘管過流保護(hù)電路的過流保護(hù)方法，其特征在于，包括以下步驟：

當(dāng)電流達(dá)到預(yù)定的過流保護(hù)工作點(diǎn)時(shí)，采樣電阻R0兩端的電壓達(dá)到使晶閘管結(jié)構(gòu)啟動(dòng)的閾值晶閘管結(jié)構(gòu)被觸發(fā)后導(dǎo)通，將柵源間的電壓拉低使VDMOS管M關(guān)斷；若NPN三極管T1的基極電流為i_B1，則其集電極電流為β₁×i_B1，β₁為三極管的放大倍數(shù)，PNP三極管T2的基極電流i_B2等于NPN三極管T1的集電極電流β₁×i_B1，因而PNP三極管T2的集電極電流i_C2為β₁β₂×i_B1；β₂為三極管的放大倍數(shù)；該電流又作為NPN三極管T1的基極電流，再一次進(jìn)行上述放大過程，形成正反饋；

NPN三極管T1和PNP三極管T2均進(jìn)入飽和狀態(tài)，使其完全導(dǎo)通；該結(jié)構(gòu)一旦導(dǎo)通，控制極就失去控制作用，NPN三極管T1和PNP三極管T2依靠內(nèi)部的正反饋始終維持導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)負(fù)載電流過大時(shí)，采樣電阻上會產(chǎn)生的電壓，會導(dǎo)致類晶閘管結(jié)構(gòu)導(dǎo)通；類晶閘管結(jié)構(gòu)導(dǎo)通之后，即使斷掉控制信號，還是持續(xù)導(dǎo)通的；類晶閘管導(dǎo)通后拉低VDMOS管柵源電壓，使VDMOS管關(guān)閉。