[發明專利]一種集成式多參量傳感芯片、電路板和電子裝置

在審

• 申請號: 201810732393.3
• 申請日: 2018-07-05
• 公開（公告）號: CN109003964A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 王徐堅;李衛民;李俊毅;姚康
• 申請（專利權）人: 上海洛丁森工業自動化設備有限公司;浙江洛丁森智能科技有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成式多參量傳感芯片(1)，其具有襯底(11)，其特征在于，在所述襯底(11)上設置有頂硅層(10)，在該頂硅層上集成地制作有用于測量差壓的差壓傳感芯片模塊(3)、用于測量絕壓的絕壓傳感芯片模塊(6)、用于測量溫度的溫度傳感芯片模塊(8)中的至少兩個。

2.根據權利要求1所述的集成式多參量傳感芯片(1)，其中，所述差壓傳感芯片模塊(3)、所述絕壓傳感芯片模塊(6)和所述溫度傳感芯片模塊(8)被設置成使其在所述襯底(11)上的信號輸出觸點之間相互獨立。

3.根據權利要求1所述的集成式多參量傳感芯片(1)，其中，所述差壓傳感芯片模塊(3)和所述絕壓傳感芯片模塊(6)被設置成使其在所述襯底(11)上的供電觸點相互連接以共用同一電源。

4.根據權利要求1所述的集成式多參量傳感芯片(1)，其中，所述差壓傳感芯片模塊(3)和/或所述絕壓傳感芯片模塊(6)采用平膜片結構。

5.根據權利要求1所述的集成式多參量傳感芯片(1)，其中，所述差壓傳感芯片模塊(3)在所述襯底(11)上的布置區域內設置有至少一個貫穿所述襯底(11)的通孔(12)，所述通孔(12)被設置在所述布置區域的中心位置。

6.根據權利要求5所述的集成式多參量傳感芯片(1)，其中，所述差壓傳感芯片模塊(3)包括采用惠斯頓電橋的電路，并且所述差壓傳感芯片模塊(3)的背部設置有與所述通孔(12)相連通的第一腔體(18)。

7.根據權利要求1所述的集成式多參量傳感芯片(1)，其中，所述絕壓傳感芯片模塊(6)包括采用惠斯頓電橋的電路，并且所述絕壓傳感芯片模塊(6)的背部設置有第二腔體(19)，所述第二腔體(19)在與所述襯底(11)鍵合時形成為真空腔。

8.根據權利要求1所述的集成式多參量傳感芯片(1)，其中，所述溫度傳感芯片模塊(8)包括由兩個二極管串聯形成的電路。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的集成式多參量傳感芯片(1)，其中，在所述襯底(11)與頂硅層(10)之間設有絕緣層(20)，該絕緣層用于實現各芯片模塊(3、6、8)與襯底(1)的介質隔離。

10.根據權利要求9所述的集成式多參量傳感芯片(1)，其中，在襯底(11)背離所述頂硅層(10)的那側設置有背襯(21)，該背襯用作為對外連接的機械接口、與所述襯底(11)通過Si-Si或Si-Glass鍵合連接。

11.一種電路板，其特征在于，所述電路板上設置有一個或多個如權利要求1-10中任一項所述的多參量傳感芯片(1)。

12.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括一個或多個如權利要求1-10中任一項所述的多參量傳感芯片(1)、或者一個或多個如權利要求11所述的電路板。