[發(fā)明專利]基板翹曲檢測裝置及方法和基板處理裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810732206.1 | 申請日: | 2018-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN109216238B | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 田口純之介;佐佐木祐也;千葉俊彌 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板翹曲 檢測 裝置 方法 處理 | ||
1.一種基板翹曲檢測裝置,對在旋轉臺上沿周向設置的凹陷狀的基板載置區(qū)域上所載置的基板在所述旋轉臺旋轉過程中的翹曲進行檢測,所述基板翹曲檢測裝置具有:
光投射單元,其從所述旋轉臺的側方向斜上方以如下方式投射光束:束下部碰撞到所述旋轉臺的側面上端,比該束下部靠上的上部通過所述旋轉臺的表面附近;
受光單元,其與所述光投射單元相向地設置,接收通過所述旋轉臺的表面附近的所述光束,檢測受光量;以及
遮光單元,所述遮光單元設置于所述基板載置區(qū)域與所述受光單元之間,遮蔽向所述受光單元入射的所述光束的束上部,
所述光投射單元和所述遮光單元配置成:在載置于所述基板載置區(qū)域的所述基板從所述旋轉臺的表面向上方突出了規(guī)定高度時,所述受光單元檢測的受光量小于規(guī)定的閾值。
2.根據權利要求1所述的基板翹曲檢測裝置,其特征在于,
在所述旋轉臺上沿所述周向設置有多個所述基板載置區(qū)域,所述光投射單元和所述受光單元被設定為通過2個以上所述基板載置區(qū)域上方。
3.根據權利要求1或2所述的基板翹曲檢測裝置,其特征在于,
在所述旋轉臺的表面的高度局部不同的情況下,所述光投射單元和所述受光單元配置成:在所述旋轉臺的表面的高度最低的位置處設置的所述基板載置區(qū)域上載置的所述基板從所述旋轉臺的表面向上方突出了所述規(guī)定高度時,所述受光單元檢測的受光量小于所述規(guī)定的閾值。
4.根據權利要求1或2所述的基板翹曲檢測裝置,其特征在于,
還具有對所述旋轉臺的旋轉進行控制的控制單元,
在檢測出所述受光單元檢測的受光量為零時,所述控制單元使所述旋轉臺的旋轉減速或停止。
5.根據權利要求1或2所述的基板翹曲檢測裝置,其特征在于,
所述規(guī)定高度被設定為如下的高度:所述基板不會從所述基板載置區(qū)域脫離,當超過所述規(guī)定高度時產生脫離的風險。
6.根據權利要求1或2所述的基板翹曲檢測裝置,其特征在于,
所述光投射單元配置成:在載置于所述基板載置區(qū)域的所述基板從所述旋轉臺的表面向上方突出了所述規(guī)定高度時,所述受光單元檢測的受光量為零。
7.根據權利要求1或2所述的基板翹曲檢測裝置,其特征在于,
所述光投射單元的傾斜角度被設定為0.1°以上且15°以下的規(guī)定角度。
8.根據權利要求1或2所述的基板翹曲檢測裝置,其特征在于,
所述光投射單元配置成使所述光束位于距所述旋轉臺的表面為0.1mm到1.0mm的范圍內。
9.根據權利要求1或2所述的基板翹曲檢測裝置,其特征在于,
所述受光單元包括電荷耦合器件。
10.根據權利要求1或2所述的基板翹曲檢測裝置,其特征在于,
所述旋轉臺設置于處理容器內,
所述光投射單元和所述受光單元設置于所述處理容器的外部。
11.一種基板處理裝置,具有:
處理容器;
旋轉臺,其設置于所述處理容器內,在該旋轉臺的上表面沿著周向具有基板載置區(qū)域;
處理氣體供給單元,其能夠向所述旋轉臺上供給處理氣體;以及
根據權利要求1至10中的任一項所述的基板翹曲檢測裝置。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





