[發(fā)明專利]一種氧化鍶鈦晶體管的制作方法

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• 申請日: 2018-07-05
• 公開（公告）號: CN110690274A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發(fā)明（設計）人: 劉程秀
• 申請（專利權(quán)）人: 劉程秀
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L21/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種氧化鍶鈦晶體管的制作方法，氧化鍶鈦即鈦酸鍶，其特征在于在NbSrTiO3或YSZ或SrTiO3或LaAlO3單晶基片上將摻雜而成的P型和N型鈦酸鍶薄膜材料疊層外延在一起，形成P-N結(jié)，P-N-P結(jié)，N-P-N結(jié)及多結(jié)結(jié)構(gòu)晶體管；其中N型鈦酸鍶為Sr1-XLaxTiO3或SrAxTi1-XO3，A是Nb或Sb；P型鈦酸鍶為SrBxTi1-XO3，B是In或Mn；X取值范圍為0.005-0.6。

2.按權(quán)利要求1所述的鈦酸鍶晶體管，其特征在于還可以不用單晶基片而直接用N型或P型鈦酸鍶為基底，在N型鈦酸鍶基底上外延一層P型鈦酸鍶或在P型鈦酸鍶基底上外延一層N型鈦酸鍶薄膜，形成P-N結(jié)，制備鈦酸鍶晶體二極管；在N型鈦酸鍶基底上外延一層P型和一層N型鈦酸鍶薄膜，形成N-P-N結(jié)，制備鈦酸鍶N-P-N晶體三極管；在P型鈦酸鍶基底上外延一層N型和一層P型鈦酸鍶薄膜，形成P-N-P結(jié)，制備鈦酸鍶P-N-P晶體三極管。

3.按權(quán)利要求1所述的鈦酸鍶晶體管，其特征在于還可以用氧化物材料BaTiO3或SrTiO3或SiO2或Al2O3或LaAlO3或ZrO2做隔離絕緣層。

4.以上所述的實施例，是本發(fā)明所選的具體實施方式的其中幾種，本領(lǐng)域的發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)可替換制作方法都應包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。