[發明專利]一種發光二極管外延片的制備方法及發光二極管外延片

有效

• 申請號: 201810730032.5
• 申請日: 2018-07-05
• 公開（公告）號: CN109119514B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 葛永暉;郭炳磊;王群;呂蒙普;胡加輝;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/16;H01L33/32
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

采用化學氣相沉積技術在襯底上依次生長緩沖層、N型半導體層、有源層、P型半導體層和接觸層，所述接觸層為P型摻雜的氮化物；

對所述接觸層的表面進行電子輻照，增加所述接觸層中的氮空位；所述電子輻照是采用高能電子束照射材料，所述電子束采用200千電子伏特的透射電子顯微鏡提供，所述透射電子顯微鏡的電源電壓為10萬伏～30萬伏；增加所述接觸層中的氮空位，用于促進所述P型摻雜劑的并入；

對所述接觸層進行退火處理。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，電子輻照的輻射劑量為10¹⁶/cm²～10²²/cm²。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述電子束的直徑為8μm～30μm。

4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，退火處理的溫度為700℃～900℃。

5.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述接觸層在進行退火處理時處于氮氣氣氛中。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述氮氣氣氛的真空度為10^-8Torr～10^-6Torr。

7.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，退火處理的時長為15min～50min。

8.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底、緩沖層、N型半導體層、有源層、P型半導體層和接觸層，所述緩沖層、所述N型半導體層、所述有源層、所述P型半導體層和所述接觸層依次層疊在所述襯底上，其特征在于，所述接觸層的表面為經過電子輻照處理和退火處理的表面；所述電子輻照是采用高能電子束照射材料，所述電子束采用200千電子伏特的透射電子顯微鏡提供，所述透射電子顯微鏡的電源電壓為10萬伏～30萬伏；增加所述接觸層中的氮空位，用于促進所述P型摻雜劑的并入。