[發明專利]一種半導體封裝組合物的制作方法在審
| 申請號: | 201810729076.6 | 申請日: | 2018-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN110684319A | 公開(公告)日: | 2020-01-14 |
| 發明(設計)人: | 劉程秀 | 申請(專利權)人: | 劉程秀 |
| 主分類號: | C08L63/00 | 分類號: | C08L63/00;C08K3/36;H01L23/29 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214035 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二氧化硅 固化劑 環氧樹脂組合物 無機填充劑 環氧樹脂 天然熔融二氧化硅 半導體封裝 半導體元件 苯酚性羥基 萘酚性羥基 封裝 合成 制作 | ||
1.一種半導體封裝組合物的制作方法,其特征在于所述環氧樹脂組合物包括環氧樹脂(A)、固化劑(B)和無機填充劑,其中無機填充劑含有作為必要成分的二氧化硅(C),所述固化劑(B)是每分子中至少含有2個以上苯酚性羥基和/或萘酚性羥基的固化劑,而所述二氧化硅(C)含有2~99重量%的合成二氧化硅、99~2重量%的天然熔融二氧化硅。
2.按照權利要求1的半導體封裝組合物,其中無機填充劑占樹脂組合物的85重量%以上,其中二氧化硅(C)的含量占樹脂組合物的85重量%以上。
3.按照權利要求1~2中任何一項的半導體裝置封裝組合物,其特征在于混合二氧化硅含有5~50重量%的球形合成二氧化硅和95~50重量%的天然熔融二氧化硅。
4.天然熔融二氧化硅中含有的具有破碎形狀的二氧化硅的含量為30重量%以下;二氧化硅(C)中含有的合成二氧化硅其平均粒徑為0.1~30μm另外,二氧化硅(C)中含有的天然熔融二氧化硅是具有1~50μm平均粒徑的物質;二氧化硅(C)中含有的合成二氧化硅具有0.1~3μm的平均粒徑,并且二氧化硅(C)中含有的天然熔融的二氧化硅具有3~50μm的平均粒徑。
5.按照權利要求1~3中任何一項的半導體裝置封裝組合物,其特征在于環氧樹脂組合物含有其中具有環氧基團的有機基團直接與硅原子連接的硅烷耦聯劑,環氧樹脂組合物含有其中具有氨基的有機基團直接與硅原子連接的耦聯劑,其中硅烷耦聯劑是其氨基為仲氨基的硅烷耦聯劑;組合物中的鹵原子含量為0.2重量%以下,而且銻原子的含量為0.2重量%以下。
6.按照權利要求1~3制造半導體裝置的方法,其特征在于采用傳遞成型法封裝半導體元件。
7.按照權利要求5的制造半導體裝置的方法,其中環氧樹脂(A)以聯苯型環氧基團作為必要成分,二氧化硅的配合量占樹脂組合物的85重量%以上。
8.按照權利要求6的制造半導體裝置的方法,其中以二氧化硅總量計,合成二氧化硅的配合量為6~50重量%,天然熔融二氧化硅的配合量為95~51重量%。
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