[發(fā)明專利]一種具有變k埋層的高耐壓低比導橫向部分超結(jié)功率器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810727298.4
• 申請日: 2018-07-05
• 公開（公告）號: CN108807503A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設計）人: 吳麗娟;吳怡清;朱琳;黃也;雷冰;張銀艷
• 申請（專利權）人: 長沙理工大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.高耐壓低比導的變k埋層部分超結(jié)器件，其特征在于：其元胞結(jié)構(gòu)包括P型襯底（1）、P型重摻雜區(qū)（21）、P型體區(qū)（22）、P型摻雜條（23）、第一N型重摻雜區(qū)（31）、第二N型重摻雜區(qū)（32）、N型摻雜區(qū)（33）、N型摻雜條（34）、柵氧化層（41）、SiO₂埋層（42）、源極電極（51）、多晶硅（52）、漏極電極（53）、襯底電極（54）、低k埋層（61）；所述P型襯底（1）下表面設置有襯底電極（54）；所述P型襯底（1）上表面設置SiO₂埋層（42）和低k埋層（61）；所述SiO₂埋層（42）上表面設置P型體區(qū)（22）、N型摻雜條（34）和P型摻雜條（23）；所述P型體區(qū)（22）里面設置有P型重摻雜區(qū)（21）和第一N型重摻雜區(qū)（31）；所述P型體區(qū)（22）上表面設置有源極電極（51）和柵氧化層（41）；所述柵氧化層（41）上表面設置有多晶硅（52）；所述低k埋層（61）上表面設置有N型摻雜區(qū)（33）；所述N型摻雜區(qū)（33）里面設置有第二N型重摻雜區(qū)（32）；所述第二N型重摻雜區(qū)（32）上表面設置有漏極電極（53）。

2.根據(jù)權利要求1所述的高耐壓低比導的變k埋層部分超結(jié)器件，其特征在于：所述P型重摻雜區(qū)（21）右表面與第一N型重摻雜區(qū)（31）左表面相接觸，并且P型重摻雜區(qū)（21）左表面與P型體區(qū)（22）部分左表面相接觸。

3.根據(jù)權利要求1所述的高耐壓低比導的變k埋層部分超結(jié)器件，其特征在于：所述源極電極（51）設置在P型重摻雜區(qū)（21）和第一N型重摻雜區(qū)（31）的上表面，其右端覆蓋部分的第一N型重摻雜區(qū)（31）。

4.根據(jù)權利要求1所述的高耐壓低比導的變k埋層部分超結(jié)器件，其特征在于：所述柵氧化層（41）左端覆蓋了部分第一N型重摻雜區(qū)（31）并且與源極電極（51）相互獨立，右端覆蓋了部分N型摻雜條（34）和P型摻雜條（23）。

5.根據(jù)權利要求1所述的高耐壓低比導的變k埋層部分超結(jié)器件，其特征在于：所述N型摻雜條（34）和P型摻雜條（23）沿Z軸方向排列，沿X軸和Y軸方向平行。

6.根據(jù)權利要求1所述的高耐壓低比導的變k埋層部分超結(jié)器件，其特征在于：所述N型摻雜區(qū)（33）左表面與N型摻雜條（34）和P型摻雜條（23）右表面相接觸。

7.根據(jù)權利要求1所述的高耐壓低比導的變k埋層部分超結(jié)器件，其特征在于：所述第二N型重摻雜區(qū)（32）右表面與N型摻雜區(qū)（33）部分右表面相接觸，下表面和左表面在N型摻雜區(qū)（33）體內(nèi)。

8.根據(jù)權利要求1所述的高耐壓低比導的變k埋層部分超結(jié)器件，其特征在于：所述第二N型重摻雜區(qū)（32）上表面設置有漏極電極（53）。