[發(fā)明專利]一種倒裝LED芯片及其制作方法、LED器件

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• 申請日: 2018-07-04
• 公開（公告）號: CN108987557A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王兵
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

1.一種倒裝LED芯片，其特征在于，包括：

襯底；

設(shè)于襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括設(shè)于襯底上的第一半導(dǎo)體層，設(shè)于第一半導(dǎo)體層上的有源層和第一電極，設(shè)于有源層上的第二半導(dǎo)體層，設(shè)于第二半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電層，以及設(shè)于透明導(dǎo)電層上的第二電極；

設(shè)于發(fā)光結(jié)構(gòu)上的絕緣層；

設(shè)于絕緣層上的反射層；

第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤貫穿反射層和絕緣層并與第一電極導(dǎo)電連接，所述第二焊盤貫穿反射層和絕緣層并與第二電極導(dǎo)電連接，所述第一焊盤和第二焊盤上設(shè)有至少一個(gè)凹孔。

2.如權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述凹孔的直徑不大于10微米。

3.如權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述凹孔的深度小于第一焊盤和第二焊盤的厚度。

4.一種倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括設(shè)于襯底上的第一半導(dǎo)體層，設(shè)于第一半導(dǎo)體層上的有源層和第一電極，設(shè)于有源層上的第二半導(dǎo)體層，設(shè)于第二半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電層，以及設(shè)于透明導(dǎo)電層上的第二電極；

在發(fā)光結(jié)構(gòu)上依次形成絕緣層和反射層；

對所述反射層和絕緣層進(jìn)行刻蝕，將第一電極和第二電極裸露出來；

在第一電極上形成第一焊盤，在第二電極上形成第二焊盤；

對第一焊盤和第二焊盤進(jìn)行刻蝕，使第一焊盤和第二焊盤形成多孔結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述多孔結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)凹孔。

6.如權(quán)利要求4所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述凹孔的直徑不大于10微米。

7.如權(quán)利要求4所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述凹孔的深度小于第一焊盤和第二焊盤的厚度。

8.如權(quán)利要求4所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一焊盤和第二焊盤由Au、Sn、Ni、Al、Ti和Cr中的兩種或兩種以上制成。

9.如權(quán)利要求4所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成發(fā)光結(jié)構(gòu)之后，形成絕緣層之前，還包括以下步驟：

對所述發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，形成切割道，所述切割道貫穿透明導(dǎo)電層、第二半導(dǎo)體層和有源層并延伸至襯底表面。

10.一種LED器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的倒裝LED芯片。