[發明專利]發光裝置封裝件

在審

• 申請號: 201810722265.0
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN109244064A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 金炅俊;權容旻;高建宇;金東浩;崔繁在
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/62
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種發光裝置封裝件，所述發光裝置封裝件包括：

多個發光芯片，所述多個發光芯片被配置為發射各自波長的光，每個發光芯片包括位于所述發光芯片的底部處的第一電極和第二電極，以形成倒裝芯片結構；

多條布線，所述多條布線分別連接到所述發光芯片的所述第一電極和第二電極；

多個電極焊盤，所述多個電極焊盤設置在所述發光芯片下方并分別連接到所述布線；和

模制構件，所述模制構件以單層結構一體地形成以覆蓋所述發光芯片的上表面和側表面，并且包括具有預定透射率的半透明材料，

其中，所述布線設置在所述模制構件的下表面下方。

2.根據權利要求1所述的發光裝置封裝件，其中，所述發光芯片中，相鄰的兩個發光芯片間隔50μm或更大，并且

其中，所述電極焊盤設置為與所述模制構件的下表面的角頂點相鄰，并且與所述模制構件的側表面間隔220μm或更小。

3.根據權利要求2所述的發光裝置封裝件，其中，所述布線包括：

多條單獨布線，所述多條單獨布線分別連接到所述發光芯片的第一電極；以及

公共布線，所述公共布線公共地連接到所述發光芯片的第二電極。

4.根據權利要求3所述的發光裝置封裝件，所述發光裝置封裝件還包括層疊在所述模制構件的下表面上以覆蓋所述布線的絕緣層，

其中，所述絕緣層具有開口，所述電極焊盤分別通過所述開口直接連接到所述布線。

5.根據權利要求1所述的發光裝置封裝件，其中，所述模制構件對于不同波長的光具有不同的透射率。

6.根據權利要求5所述的發光裝置封裝件，其中，所述模制構件相對于波長為530nm的光具有大于或等于30％且小于或等于89％的透射率。

7.根據權利要求1所述的發光裝置封裝件，其中，所述模制構件包括大于或等于0.04wt％且小于或等于0.2wt％的炭黑。

8.根據權利要求1所述的發光裝置封裝件，其中，所述模制構件包括炭黑和無機填料，并且

其中，所述無機填料包括熔凝硅石材料和二氧化硅材料中的至少一種。

9.根據權利要求1所述的發光裝置封裝件，其中，所述模制構件的上表面具有不平坦結構。

10.根據權利要求1所述的發光裝置封裝件，其中，所述模制構件具有從所述發光芯片的相應上表面測得的大于或等于10μm且小于或等于120μm的上側厚度。

11.根據權利要求10所述的發光裝置封裝件，其中，每個所述發光芯片具有160°或更大的波束角。

12.一種發光裝置封裝件，所述發光裝置封裝件包括：

多個發光芯片，所述多個發光芯片被配置為發射各自波長的光，每個發光芯片包括位于所述發光芯片的底部處的電極；

多條布線，所述多條布線分別連接到所述發光芯片的電極；

多個電極焊盤，所述多個電極焊盤設置在所述發光芯片下方并分別連接到所述布線；

模制構件，所述模制構件以單層結構一體地形成以覆蓋所述發光芯片的上表面和側表面，并且包括具有預定透射率的材料；以及

設置在所述模制構件上方的金屬層、設置在所述模制構件下方的有色下層和圍繞所述發光芯片的隔離結構中的至少一種。

13.根據權利要求12所述的發光裝置封裝件，其中，所述模制構件是透明的。

14.根據權利要求12所述的發光裝置封裝件，其中，所述發光裝置封裝件包括所述金屬層，并且

其中，所述金屬層設置在所述模制構件上方，并且包括鈦和鉻中的至少一種。