[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器及其制造方法以及電子組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810721405.2
• 申請日: 2018-07-04
• 公開（公告）號: CN109216022B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 具根會;具本錫;金政民;金樽賢;康諧率;金成珍;韓知惠;姜炳宇;崔暢學(xué)
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/232;H01G4/30;H01G4/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 何巨;金光軍

1.一種多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器包括：

主體，包括介電層以及第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，所述主體包括彼此相對的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相對的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面和所述第二表面、連接到所述第三表面和所述第四表面并且彼此相對的第五表面和第六表面；以及

外電極，設(shè)置在所述主體的所述第三表面和所述第四表面上，

其中，所述外電極均包括：

電極層，與所述第一內(nèi)電極或所述第二內(nèi)電極接觸；

中間層，設(shè)置在所述電極層上并包括第一金屬間化合物；以及

導(dǎo)電樹脂層，設(shè)置在所述中間層上并包括多個金屬顆粒、第二金屬間化合物和基體樹脂，

其中，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極在所述主體內(nèi)與所述主體的所述第三表面和所述第四表面分開預(yù)定的間隔并交替地暴露于所述第三表面和所述第四表面，并且

所述電極層形成在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極與所述主體的所述第三表面和所述第四表面分開的部分中以及所述主體的所述第三表面和所述第四表面上，并且連接到所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極，

其中，所述電極層包括金屬并且所述中間層是連續(xù)層的形式。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述電極層被設(shè)置為覆蓋所述主體的一個表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述電極層是無電鍍層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述電極層是濺射層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述電極層包括鎳和硼。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述中間層被設(shè)置為覆蓋所述電極層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述中間層是形成為層形式的所述第一金屬間化合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述第一金屬間化合物包括鎳和錫。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一金屬間化合物是Ni₃Sn₄。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述多個金屬顆粒包括銀和銅中的至少一種，并且

所述第二金屬間化合物包括Ag₃Sn、Cu₆Sn₅和Cu₃Sn中的至少一種。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器還包括：

第一鍍層和第二鍍層，設(shè)置在所述導(dǎo)電樹脂層上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述電極層從所述主體的所述第三表面和所述第四表面延伸到所述主體的所述第一表面的一部分和所述第二表面的一部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第二金屬間化合物包圍所述多個金屬顆粒中的至少部分。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述電極層與所述第一內(nèi)電極或所述第二內(nèi)電極直接接觸。