[發(fā)明專利]SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810720469.0 | 申請日： | 2018-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN109103025A | 公開（公告）日： | 2018-12-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳善亮;李維俊;劉喬;楊為佑 | 申請（專利權）人： | 寧波工程學院 |
| 主分類號： | H01G11/22 | 分類號： | H01G11/22;H01G11/24;H01G11/30 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州盛飛專利代理事務所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米孔陣列 超級電容器 一體化制成 電極 納米材料技術 導電性 化學穩(wěn)定性 循環(huán)穩(wěn)定性 電極材料 孔道結(jié)構(gòu) 熱穩(wěn)定性 溫度條件 比電容 納米孔 溫度性 孔長 寬溫 豎直 應用 保證 | ||
1.SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用，其特征在于，超級電容器的電極由SiC納米孔陣列一體化制成。
2.根據(jù)權利要求1所述的SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用，其特征在于，所述的SiC納米孔陣列的相成分為4H-SiC。
3.根據(jù)權利要求1所述的SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用，其特征在于，所述的SiC納米孔陣列的納米孔為豎直孔道結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權利要求1所述的SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用，其特征在于，孔直徑為5-40nm，孔長為8-20μm。
5.根據(jù)權利要求1或2或3或4所述的SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用，其特征在于，所述的SiC納米孔陣列由如下方法制成：將SiC晶片切成需要的尺寸，分別在酒精、去離子水中超聲清洗，然后在含有HF酸的乙醇溶液中浸泡，接著干燥，再將清洗干燥后的SiC晶片背面貼上PVC耐酸保護膠，最后以SiC晶片作陽極，碳板作陰極，在刻蝕液中，用脈沖電源陽極氧化刻蝕6-10分鐘得到SiC納米孔陣列。
6.根據(jù)權利要求1所述的SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用，其特征在于，掃速從10mVs-1到500mVs-1，SiC納米孔陣列電極的比電容從16mF cm-2降至8mF cm-2。
7.根據(jù)權利要求1所述的SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用，其特征在于，SiC納米孔陣列電極在室溫條件下充放電10000次后，電容保留率不低于96％。
8.根據(jù)權利要求1所述的SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用，其特征在于，SiC納米孔陣列電極在-10℃條件下充放電11000次后，電容保留率不低于97.3％。
9.根據(jù)權利要求1所述的SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用，其特征在于，SiC納米孔陣列電極在60℃條件下充放電11000次后，電容保留率為96.8％。
10.根據(jù)權利要求1所述的SiC納米孔陣列在超級電容器中的應用，其特征在于，SiC納米孔陣列制成的電極在-10℃和60℃交替變化的變溫條件下充放電11000次后，電容保留率不低于95.5％。
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