[發明專利]一種像素電路、顯示屏及電子設備

在審

• 申請號: 201810719226.5
• 申請日: 2018-07-03
• 公開（公告）號: CN108877655A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 孫麗娜
• 申請（專利權）人: 深圳吉迪思電子科技有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208
• 代理公司: 蘇州集律知識產權代理事務所(普通合伙) 32269
• 代理人: 安紀平

本發明揭示了一種像素電路、顯示屏及電子設備，像素電路包括驅動晶體管、第一開關晶體管、第二開關晶體管、電容以及反饋電路，第一開關晶體管的一端連接一數據線，另一端通過第二開關晶體管連接驅動晶體管的柵極，電容的一端連接驅動晶體管的柵極，另一端連接一電源，反饋電路在驅動晶體管工作時，將驅動晶體管的柵極電壓反饋至第一開關晶體管和第二開關晶體管的連接點處。本發明在不改變CMOS工藝的條件下，有效解決了開關晶體管和寄生二極管漏電，以及漏電導致的亮度和對比度下降的問題，適用于硅基OLED微顯示器。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其是涉及一種像素電路、顯示屏及電子設備。

背景技術

像素電路，通常被布置在以行方向排列的用于提供控制信號的掃描線Vsel和以列方向排列的用于提供數據信號的數據線Vdata相互交叉之處，通過電流或者電壓驅動每個像素內的發光器件發光。結合圖1和圖2所示，一種像素電路結構，其包括開關晶體管T1、驅動晶體管T2，電容Cs，以及發光器件。開關晶體管T1和驅動晶體管T2可以選自PMOS、NMOS管中的一種。圖1所示的像素電路中開關晶體管T1和驅動晶體管T2均為PMOS管。

對于硅基OLED微顯示器，像素尺寸較小，每個子像素尺寸約為9um×3um。當在硅基OLED微顯示器集成更多的MOS管和電容時，電容會很小。硅基OLED微顯示器的工作分為兩個階段：數據寫入階段和發光器件發光階段。當處于數據寫入階段時，掃描線Vsel為低電平，此時開關晶體管T1閉合，數據線Vdata上的電壓通過開關晶體管T1在較短的時間內寫入到像素電路中并保存在電容Cs上。當處于發光器件發光階段時，掃描線Vsel為高電平，開關晶體管T1斷開，驅動晶體管T2驅動發光器件發光。若刷新頻率為60Hz，則發光時間通常為16.67ms。

發光器件發光過程中，流過發光器件的電流受存儲在電容Cs上的電荷控制。理想情況下，在發光過程中電容Cs上的電荷不變，發光亮度能夠完全受Vdata控制。如圖1所示，當Vdata為0V時，流過發光器件的電流達到最大Imax。Vdata＝Vdd(Vdd為驅動晶體管T2連接的電源電位)時，流過發光器件的電流達到最小Imin。對比度是屏幕上同一點最亮時(白色)與最暗時(黑色)的亮度的比值，高對比度意味著相對較高的亮度和呈現顏色的艷麗程度。由于發光器件的發光強度與流過它的電流成正比，因此Imax/Imin越高代表對比度越高。

然而，由于硅基OLED微顯示器的像素尺寸較小，電容Cs受像素尺寸的限制存儲的電荷很少。開關晶體管T1雖然在發光階段處于關斷狀態，但是其漏電以及寄生二極管的漏電在pA(皮安)量級，漏電會導致存儲在電容Cs上的電荷發生變化，導致在發光階段時Imax不能保持恒定，電流慢慢減小，或者Imin不能保持恒定，電流慢慢變大，最終使得最高亮度降低以及對比度降低，影響顯示效果。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺陷，提供一種能夠解決開關晶體管和寄生二極管漏電的問題，提高顯示亮度和對比度的像素電路，還提供一種應用該像素電路的顯示屏和電子設備。

為實現上述目的，本發明提出如下技術方案：一種像素電路，包括

驅動晶體管，所述驅動晶體管連接第一電源；

串聯相接的第一開關晶體管和第二開關晶體管，所述第一開關晶體管連接一數據線，所述第二開關晶體管連接所述驅動晶體管；

電容，所述電容連接于所述驅動晶體管與所述第二開關晶體管的中間節點和第二電源之間；以及

反饋電路，所述反饋電路連接于所述第一開關晶體管與所述第二開關晶體管的中間節點和所述驅動晶體管之間，用于在所述驅動晶體管工作時將所述驅動晶體管的柵極電壓反饋至所述第一開關晶體管與所述第二開關晶體管的中間節點處。