[發明專利]發光裝置有效
| 申請號： | 201810717392.1 | 申請日： | 2018-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN109216526B | 公開（公告）日： | 2022-12-27 |
| 發明（設計）人： | 中野誠;中田憲司 | 申請（專利權）人： | 日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 裝置 | ||
1.一種發光裝置，具備發光元件和熒光部件，所述發光元件在440nm～460nm的范圍具有發光峰值波長，
所述熒光部件含有第一熒光體、第二熒光體、第三熒光體以及第四熒光體作為熒光體，
所述第一熒光體在440nm～550nm的范圍具有發光峰值波長，并且含有由Eu活化的堿土鋁酸鹽以及在組成中具有Ca、Mg和Cl且由Eu活化的硅酸鹽中的至少一者，
所述第二熒光體在500nm～600nm的范圍具有發光峰值波長，并且含有由Ce活化的稀土鋁酸鹽，
所述第三熒光體在610nm～650nm的范圍具有發光峰值波長，并且含有在組成中具有Sr和Ca中的至少一者以及Al且由Eu活化的氮化硅，
所述第四熒光體在650nm～670nm的范圍具有發光峰值波長，并且含有由Mn活化的氟鍺酸鹽,
第三熒光體的含量相對于熒光部件中的總熒光體量的含有率為0.5質量％～10質量％，
第四熒光體相對于熒光部件中的總熒光體量的含有率為25質量％～50質量％。
2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，所述發光裝置進一步具備第五熒光體，所述第五熒光體在430nm～500nm的范圍具有發光峰值波長，并且含有在組成中具有Cl且由Eu活化的堿土磷酸鹽。
3.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，所述第一熒光體在第1層中含有，
所述第二熒光體在第2層中含有，
所述第三熒光體在第3層中含有，
所述第四熒光體在第4層中含有，
所述第1層～所述第4層層疊而配置。
4.根據權利要求3所述的發光裝置，其中，所述第1層～所述第4層配置于所述發光元件的上方，
所述第4層、所述第3層、所述第2層和所述第1層從所述發光元件的上表面依次配置。
5.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，所述發光裝置具備多個封裝體，
所述第一熒光體～所述第四熒光體配置于所述多個封裝體中的任一者。
6.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，發出相關色溫為2500K～3500K的光，在發光光譜中，所述第一熒光體相對于所述發光元件的發光峰值強度比為0.9～1.15。
7.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，發出相關色溫為4500K～5500K的光，在發光光譜中，所述第一熒光體相對于所述發光元件的發光峰值強度比為0.6以下。
8.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，發出相關色溫為2500K～5500K的光，在發光光譜中，在位于所述發光元件的發光峰值波長與所述第一熒光體的發光峰值波長之間的范圍，發光峰值強度最低的部分相對于所述發光元件的發光峰值強度比為0.2～0.27。
9.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，所述第一熒光體含有具有下述式(1a)表示的組成的堿土鋁酸鹽和具有下述式(1b)表示的組成的硅酸鹽中的至少一者，
(Sr，Ca，Ba)4Al14O25：Eu (1a)
(Ca，Sr，Ba)8MgSi4O16(F，Cl，Br)2：Eu (1b)。
10.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，所述第二熒光體含有具有下述式(2)表示的組成的稀土鋁酸鹽，
(Y，Lu，Gd)3(Al，Ga)5O12：Ce (2)。
11.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，所述第三熒光體含有具有下述式(3)表示的組成的氮化硅，
(Sr，Ca)AlSiN3：Eu (3)。
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