[發明專利]一種有源混頻器

在審

• 申請號: 201810715340.0
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN108964613A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 樊璠
• 申請（專利權）人: 南通朝旭環保科技有限公司
• 主分類號: H03D7/14
• 分類號: H03D7/14
• 代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340
• 代理人: 任毅

1.一種混頻器電路，其特征在于：包括依次電連接的跨導級、開關級和負載級，所述跨導級采用第三階跨導系數修正電流鏡對電路和源簡并電感結構，跨導級與外部輸入設備連接，接入射頻電壓，將射頻電壓轉化為射頻電流；

所述開關級接入本振信號，采用MOS管在本振大信號的控制下輪流導通，對電流進行切換調制，來實現頻率的轉換；

所述負載級電阻負責把變頻后的中頻電流信號轉換成輸出電壓信號。

2.根據權利要求1所述的混頻器，其特征在于：所述跨導級包括NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M9、NMOS管M10，PMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8，電感L1、電感L2、電感L3、電感L4和電感L5；所述電感L2的一端與射頻電壓信號的正極端RF+連接，另一端與NMOS管M1的柵極連接；NMOS管M1的源級與NMOS管M2的源級連接，漏極與NMOS管M9的漏極連接；NMOS管M9的柵極和漏極連接，源級與NMOS管M1的柵極連接；NMOS管M2的柵極與NMOS管M1的柵極連接，源級與NMOS管M1的源級連接，漏極與PMOS管M6的漏極連接；電感L4的一端與NMOS管M1的源級連接，另一端接地；PMOS管M5的漏極與NMOS管M1的漏極連接，柵極與PMOS管M6的柵極連接，源級與偏置電壓V0連接；PMOS管M6的柵極和漏極連接，源級與偏置電壓V0連接；

電感L3的一端與射頻電壓信號的負極端RF-連接，另一端與NMOS管M3的柵極連接；NMOS管M3的源級與NMOS管M4的源級連接，漏極與NMOS管M10的漏極連接；NMOS管M10的柵極和漏極連接，源級與NMOS管M3的柵極連接；NMOS管M4的柵極與NMOS管M3的柵極連接，源級與NMOS管M3的源級連接，漏極與PMOS管M7的漏極連接；電感L5的一端與NMOS管M3的源級連接，另一端接地；PMOS管M8的漏極與NMOS管M3的漏極連接，柵極與PMOS管M7的柵極連接，源級與偏置電壓V0連接；PMOS管M7的柵極和漏極連接，源級與偏置電壓V0連接；電感L1的一端與NMOS管M1的漏極連接，電感L1的另一端NMOS管M3的漏極連接。

3.根據權利要求2所述的混頻器，其特征在于：所述開關級包括NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14；所述NMOS管M11的柵極與本振信號的正極端LO+連接，其源級與NMOS管M1的漏極連接，漏極與負載級電阻R1的一端連接；NMOS管M12的柵極與本振信號的負極端LO-連接，其源級與NMOS管M11的源極連接，漏極與NMOS管M14的漏極連接；NMOS管M13的柵極與本振信號的負極端LO-連接，其源級與NMOS管M3的漏極連接，漏極與NMOS管M11的漏極連接；NMOS管M14的柵極與本振信號的負極端LO+連接，其源級與NMOS管M3的漏極連接，漏極與負載級電阻R2的一端連接。

4.根據權利要求3所述的混頻器，其特征在于：所述負載級包括電阻R1、電阻R2、電容C1和電容C2；所述電阻R1的一端與NMOS管M11的漏極連接，R1的另一端與電源電壓VDD連接；電容C1的一端與NMOS管M11的漏極連接，另一端與電源電壓VDD連接；所述電阻R2的一端與NMOS管M14的漏極連接，R2的另一端與電源電壓VDD連接；電容C2的一端與NMOS管M14的漏極連接，另一端與電源電壓VDD連接。

5.根據權利要求4所述的混頻器，其特征在于：所述改進型電流注入技術包括PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17；所述PMOS管M15的柵極與直流偏置電壓V1連接，源極與電源電壓VDD連接，漏極與PMOS管M16的源極連接；PMOS管M16的柵極與PMOS管M17的漏極連接，漏極與NMOS管M1的漏極連接；PMOS管M17的柵極與PMOS管M16的漏極連接，漏極與NMOS管M3的漏極連接，源級與PMOS管M16的源極連接。