[發明專利]硅片吸取組件及硅片抓取機構在審
| 申請號: | 201810711679.3 | 申請日: | 2018-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN108922863A | 公開(公告)日: | 2018-11-30 |
| 發明(設計)人: | 潘加永;戴秋喜 | 申請(專利權)人: | 蘇州映真智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市高新區建林*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 吸取組件 抓取機構 殼體 太陽能電池硅片 吸盤 抽氣口 吸取口 氣道 抓取 安裝通孔 正面設置 呈片狀 可安裝 單片 連通 體內 應用 | ||
1.一種硅片吸取組件,用于吸取太陽能電池硅片,其特征在于,所述硅片吸取組件包括呈片狀的殼體,在所述殼體的上側設置有安裝部,在所述安裝部上開設有安裝通孔,在所述安裝部的中部開設有抽氣口;在所述殼體的下側設置有硅片吸取部,所述硅片吸取部包括正面及與所述正面相對的反面,在所述正面設置有至少一個吸盤,在所述吸盤上開設有吸取口;在所述殼體內設置有第一氣道,所述第一氣道連通所述抽氣口與所述吸取口。
2.根據權利要求1所述的硅片吸取組件,其特征在于,所述吸盤設置為自所述吸取部的正面向所述反面呈倒圓臺狀凹進,所述吸取口開設在所述倒圓臺狀凹進的側緣上。
3.根據權利要求2所述的硅片吸取組件,其特征在于,在所述硅片吸取部的正面間隔設置有兩個所述吸盤,兩個所述吸盤的底面積設置為所述硅片吸取部面積的20%~25%。
4.根據權利要求1所述的硅片吸取組件,其特征在于,在所述硅片吸取部的底端設置有導引部,所述導引部包括設置于所述硅片吸取部第一側的第一導引頭和設置于所述硅片吸取部第二側的第二導引頭;所述第一導引頭與所述第二導引頭交接形成尖端;所述第一導引頭、第二導引頭均設置為由上至下厚度逐漸減小的楔形結構。
5.根據權利要求4所述的硅片吸取組件,其特征在于,所述第一導引頭包括設置在所述硅片吸取部正面的第一斜面和設置在所述硅片吸取部反面相對位置上的第二斜面,所述第二導引頭包括設置在所述硅片吸取部正面的第三斜面和設置在所述硅片吸取部反面相對位置上的第四斜面。
6.根據權利要求5所述的硅片吸取組件,其特征在于,所述第一斜面/第二斜面的斜面長度設置為所述第三斜面/第四斜面的斜面長度的3~5倍。
7.根據權利要求4所述的硅片吸取組件,其特征在于,所述尖端的尖角設置為100°~130°。
8.根據權利要求1所述的硅片吸取組件,其特征在于,在所述安裝部的頂端開設有吹氣口,在所述殼體內設置有第二氣道,所述第二氣道連通所述吹氣口和所述吸取口。
9.根據權利要求1所述的硅片吸取組件,其特征在于,所述安裝部的厚度大于所述吸取部的厚度。
10.一種硅片抓取機構,其特征在于,所述硅片抓取機構包括水平并排設置的第一支架和第二支架,在所述第一支架底部安裝有第一抓取部,在所述第二支架底部安裝有第二抓取部;所述第一抓取部、第二抓取部均包括多個豎直并排設置的如權利要求1-9中任意一項所述的硅片吸取組件,所述硅片吸取組件通過其安裝部上的所述安裝通孔安裝至所述第一支架和第二支架上;所述第一抓取部的各硅片吸取組件吸取部的所述正面朝前,所述第二抓取部的各硅片吸取組件吸取部的所述反面朝前。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





