[發明專利]一種通過門電壓調控二維磁性半導體材料磁性能的方法有效
| 申請號： | 201810709285.4 | 申請日： | 2018-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN109768157B | 公開（公告）日： | 2021-12-10 |
| 發明（設計）人： | 韓拯;張志東;王志;李小茜;王漢文;陳茂林;孫興丹 | 申請（專利權）人： | 中國科學院金屬研究所 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12;H01L43/02 |
| 代理公司： | 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司 21001 | 代理人： | 崔曉蕾 |
| 地址： | 110015 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通過 電壓 調控 二維 磁性 半導體材料 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種自旋場效應器件，其特征在于：在二維磁性半導體材料居里溫度以下，通過對二維磁性半導體材料進行電子或空穴摻雜，得到雙重雙極可調特性的自旋場效應晶體管；
所述二維磁性半導體材料為Cr2Sn2Te6二維層狀材料或二維原子晶體；
基于上述自旋場效應器件，其制備方法為：
將二維磁性半導體材料和其他二維材料通過人工堆垛的方式得到異質結；或在二維磁性半導體材料上直接圖形化得到器件；圖形化轉移方式為光刻或電子束曝光；
自旋場效應器件中與二維磁性半導體接觸的材料為以下一種或多種材料：
石墨烯、氮化硼二維材料，或者其他改善接觸和進行封裝的二維材料。
2.根據權利要求1所述自旋場效應器件，其特征在于：所述二維磁性半導體材料的厚度在0.5nm-50nm。
3.根據權利要求1所述自旋場效應器件，其特征在于，所述二維磁性半導體材料通過下列方法獲得：化學氣象沉淀、力學剝離解理、溶液中超聲剝離或化學剝離。
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