[發明專利]顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201810708417.1
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN108615752B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 萬凱;鐘小華
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明提出了一種顯示面板顯示裝置，所述顯示面板包括基板、薄膜晶體管層、陽極層、有機發光層、陰極層、薄膜封裝層以及粒子層；本發明通過在所述薄膜晶體管層與所述薄膜封裝層之間設置一粒子層，所述粒子層由若干個銀納米顆粒構成，即根據銀納米顆粒表面的SPR效應，提高光子的態密度以及激子的自發輻射速率，以提高AMOLED顯示面板的發光效率；另外，銀納米顆粒層的光反射作用，可以減少光線的損失，提高AMOLED的光提取率。

技術領域

本發明涉及顯示領域，特別涉及一種顯示面板顯示裝置。

背景技術

在平板顯示技術中，有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器具有輕薄、主動發光、響應速度快、可視角大、色域寬、亮度高和功耗低等眾多優點，逐漸成為繼液晶顯示器后的第三代顯示技術。相對于LCD(Liquid crystal displays，液晶顯示器)，OLED具有更省電，更薄，且視角寬的優勢，這是LCD無法比擬的。目前，人們對顯示的細膩程度即分辨率要求越來越高，但生產高質量、高分辨率的OLED顯示屏仍然面臨著許多挑戰。

OLED顯示裝置按照驅動方式可以分為無源矩陣型(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

對于AMOLED器件，當在外部電場的驅動下，陽極向發光層注入空穴，陰極向發光層注入電子；當電子和空穴在發光層相遇時，在庫倫力的作用下以一定幾率復合形成處于激發態的激子；其中，處于激發態的激子在通常的環境中是不穩定的，激發態的激子會將能量傳遞給發光材料，發光材料經過輻射馳豫過程而發光。AMOLED顯示器作為一種新型電致發光器件，發光效率是評價其能的一個重要指標，也是衡量器件是否節能的直接參數。發光效率越高證明其在一定電功率條件下，電能轉化為光能的效率越高，對省電和提升AMOLED面板壽命都有幫助。

由于AMOLED的發光方式是通過電子和空穴的復合激發實現的，因此，AMOLED器件的發光效率也會受到很多因素影響：

一、由于AMOLED面板中EL層存在著材料品質、位錯因素以及工藝上的種種缺陷，會產生雜質電離、激發散射和晶格散射等問題，使電子從激發態躍遷到基態時與晶格原子或離子交換能量時發生無輻射躍遷，即不產生光子而是產生聲子，這部分能量不轉換成光能而轉換成熱能損耗在EL層內；

二、由于功能層中材料的折射率的差異，在界面處會存在全反射，導致光子能量以波導模式被困在功能層中；而在金屬陰極和有機層界面，部分光子會轉化為表面等離子體激元而沿金屬表面傳播耗散掉；另外，金屬陰極自身也會吸收部分光能量。

因此，AMOLED器件的發光效率包含著內量子效率(IQE)和外量子效率(EQE)，分別用N_int和N_ext表示。

內量子效率是指AMOLED器件內平均每注入一個空穴電子對所產生的光子數，內量子效率取決于空穴和電子在發光層中的復合輻射效率，復合輻射效率越大，內量子效率越大；外量子效率指的是器件發出的總光子數與注入電子數的比值，也是反映AMOLED器件發光效率最直接的參數。兩者之間的關系為如下：

N_ext＝N_int×N_out(N_out為光提取效率) (1)

從式(1)中可以看到，AMOLED面板的外量子效率與AMOLED面板內量子效率和光提取率有關，而作為影響外量子效率的關鍵參數，對提高AM顯示面板發光層內量子效率至關重要。

本發明提出一種有效的可同時提高發光層內量子效率和光提取率的方法，進而有效器件的外量子效率。