[發(fā)明專利]一種陶瓷基電子線路的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810708408.2
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN108558413B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設計）人: 吳昊;姜來新;蔣海英
• 申請（專利權(quán)）人: 上海安費諾永億通訊電子有限公司
• 主分類號: C04B35/622
• 分類號: C04B35/622;C04B35/10;C04B35/48;C04B41/91;C04B41/90;B23K26/362;H05K1/03
• 代理公司: 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種陶瓷基電子線路的制備方法，其特征在于，包含如下步驟：

S1) 制備陶瓷基體：將陶瓷粉體原料和相應的有機添加劑，利用擠出成型、流延成型、等靜壓成型、干壓成型、注射成型工藝中的一種或幾種的組合，制備成陶瓷基體的素胚；將素胚置高溫燒結(jié)，得到所述陶瓷基體；再利用機械切割、打磨、拋光工藝中的一種或幾種組合進行加工得到的陶瓷基體，所述陶瓷基體表面粗糙度的Ra值為0.02μm~1μm；

S2) 制備表面保護層：利用有機和/或無機溶質(zhì)在稀釋劑中溶解稀釋，制備得到保護層溶液，將所述保護層溶液均勻涂覆在步驟S1得到的所述陶瓷基體的外表面，并進行烘干固化以排除稀釋劑，得到所述表面保護層；步驟S2中，所述有機和/或無機溶質(zhì)選自烷基苯磺酸鈉、脂肪醇硫酸鈉、脂肪醇聚氧乙烯醚、聚醚、硅油、三聚磷酸鈉、聚丙烯酸鈉、硫酸鈉、品紅、EDTA、CMC和PVP中的一種或多種，所述稀釋劑選自去離子水、甲醇、乙醇、乙酸丁酯、丁酮、松油醇、乙基纖維素中的一種或多幾種；

S3) 制備電子線路輪廓：按照電子線路的三維尺寸要求，利用激光器光源，對步驟S2所述陶瓷基體表面進行激光雕刻，將所需雕刻圖案劃分為中心區(qū)域和邊框區(qū)域兩部分；雕刻中心區(qū)域的激光輸出功率為激光光源額定功率的40%~100%，激光雕刻次數(shù)為1~3次，激光雕刻線間距為0.01mm~0.1mm；雕刻邊框區(qū)域的激光輸出功率為激光光源額定功率的20%~40%，激光雕刻次數(shù)為3~6次，激光雕刻線間距為0.01mm~0.05mm；得到電子線路的三維輪廓；

S4) 表面改性處理：配置表面改性劑，將步驟S3雕刻后的所述陶瓷基體浸泡入表面改性劑當中，去除殘留的表面保護層，同時進一步增大陶瓷基體上被雕刻區(qū)域的粗糙度，以及使被雕刻區(qū)域表面吸附大量的羥基官能團，有利于提高陶瓷基體與后續(xù)所制備的電子線路之間的界面結(jié)合；步驟S4中，所述表面改性劑為液相膠體，其中，膠質(zhì)粒子為聚碳酸酯系高分子和/或氨基硅烷偶聯(lián)劑，所述聚碳酸酯系高分子為帶羥基官能團改性的聚碳酸酯系高分子，所述液相膠體的溶劑為去離子水、甲醇、乙醇、乙酸丁酯、丁酮、松油醇、乙基纖維素、氫氧化鈉、硫酸、鹽酸中的一種或多種；所述膠質(zhì)粒子的濃度為1g/L~50g/L，表面改性劑的溫度為55^oC~75^oC，浸泡時間為30min~50min；

S5) 利用常規(guī)的化鍍和/或電鍍工藝，在步驟S4表面改性后的所述陶瓷基體上制備電子線路本身。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基電子線路的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述陶瓷粉體原料選自氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、碳化硅、氮化硅、氮化硼、氮化鋁、莫來石、堇青石、稀土錳氧化物、堿金屬硅酸鹽以及金屬磷酸鹽中的一種或幾種的組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基電子線路的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述表面保護層溶液濃度為1g/L~20g/L，所述表面保護層厚度為5um~100um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基電子線路的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述激光器的光源為中心波長為紫外248nm至紅外1064nm波段的納秒、皮秒或飛秒脈沖激光光源，激光輸出功率范圍3W~100W。