[發(fā)明專利]一種低頻聲場質(zhì)點(diǎn)振速敏感結(jié)構(gòu)及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810708216.1
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN109060108B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉云飛;周瑜;馮杰
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第三研究所
• 主分類號: G01H11/06
• 分類號: G01H11/06
• 代理公司: 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11421
• 代理人: 張彩珍

1.一種低頻聲場質(zhì)點(diǎn)振速敏感結(jié)構(gòu)，硅襯底上形成有橋孔，橋孔的一側(cè)上設(shè)有第一電極，橋孔的另一側(cè)上設(shè)有第二電極、第三電極，橋孔上方設(shè)有第一薄絲、第二薄絲，第一薄絲、第二薄絲平行設(shè)置且保持微間距，兩個(gè)薄絲的一端均與第一電極連接，兩個(gè)薄絲的另一端分別與第二電極、第三電極連接，第一薄絲、第二薄絲的頂面均設(shè)有敏感層，其特征在于：

第一薄絲、第二薄絲的敏感層均依次由第一端部敏感層、中部敏感層、第二端部敏感層三段組成，中部敏感層的長度大于第一端部敏感層、第二端部敏感層的長度，中部敏感層用于傳遞熱量，第一端部敏感層、第二端部敏感層用于與電極連接，傳導(dǎo)電信號；中部敏感層與第一端部敏感層、第二端部敏感層之間分別設(shè)有空氣間隙層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低頻聲場質(zhì)點(diǎn)振速敏感結(jié)構(gòu)，其特征在于：第一薄絲、第二薄絲的寬度為1μm～2μm，厚度為0.1μm～0.5μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低頻聲場質(zhì)點(diǎn)振速敏感結(jié)構(gòu)，其特征在于：空氣間隙層的寬度為0.1μm～0.3μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低頻聲場質(zhì)點(diǎn)振速敏感結(jié)構(gòu)，其特征在于：第一薄絲、第二薄絲、第一電極、第二電極、第三電極的結(jié)構(gòu)均為，由下至上由絕熱層、支撐層、黏附層和敏感層組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1—4任何一項(xiàng)所述的低頻聲場質(zhì)點(diǎn)振速敏感結(jié)構(gòu)，其特征在于：第一薄絲和第二薄絲之間設(shè)有1根或多根薄絲，所說1根或多根薄絲與第一薄絲、第二薄絲平行設(shè)置，結(jié)構(gòu)與第一薄絲、第二薄絲相同。

6.一種權(quán)利要求1所述低頻聲場質(zhì)點(diǎn)振速敏感結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：在硅襯底上依次沉積絕熱層和支撐層，其中，絕熱層位于支撐層的下方；

步驟2：進(jìn)行第一次涂膠、光刻和顯影，定義出低頻聲場質(zhì)點(diǎn)振速敏感結(jié)構(gòu)的第一電極、第二電極、第三電極、第一薄絲、第二薄絲結(jié)構(gòu)；

步驟3：進(jìn)行第二次涂膠、光刻和顯影，定義出聲場環(huán)境通路所需的橋孔結(jié)構(gòu)；

步驟4：進(jìn)行劃片、引線鍵合及封裝，得到成品。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：步驟2中，依次淀積黏附層和敏感層，然后剝離光刻膠，以形成所相應(yīng)的敏感結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于：步驟3中，進(jìn)行干法刻蝕，依次刻蝕去掉沒被光刻膠覆蓋的支撐層和絕熱層，然后對硅襯底進(jìn)行異性濕法腐蝕，形成橋孔結(jié)構(gòu)。