[發(fā)明專(zhuān)利]硅晶體的連續(xù)生長(zhǎng)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810707594.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108754610B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 嘉興金瑞光伏科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C30B30/04 | 分類(lèi)號(hào): | C30B30/04;C30B29/02 |
| 代理公司: | 嘉興啟帆專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 李伊飏 |
| 地址: | 314202 浙江省嘉興*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體 連續(xù) 生長(zhǎng) 裝置 | ||
1.一種硅晶體的連續(xù)生長(zhǎng)裝置,其特征在于:包括主熔煉室(5),所述主熔煉室(5)的上側(cè)設(shè)有輔助投料熔煉室(4),所述輔助投料熔煉室(4)正下側(cè)的主熔煉室(5)內(nèi)設(shè)置有主熔煉室坩堝(9),所述主熔煉室坩堝(9)的外周設(shè)置有主熔煉室加熱器(8),所述主熔煉室加熱器(8)的上側(cè)圓周設(shè)置有主電磁約束感應(yīng)器(7),所述主電磁約束感應(yīng)器(7)用于使主熔煉室坩堝(9)內(nèi)的熔體表面向上凸起,控制器驅(qū)動(dòng)所述主電磁約束感應(yīng)器(7)上升;
所述輔助投料熔煉室(4)內(nèi)設(shè)置有輔助投料熔煉室坩堝(18),所述輔助投料熔煉室坩堝(18)的底部與所述主熔煉室(5)相連通,所述主熔煉室(5)內(nèi)輔助投料熔煉室坩堝的下料口的外周設(shè)置有輔助投料熔煉下料口電磁約束感應(yīng)器(13),所述下料口電磁約束感應(yīng)器用于對(duì)熔體產(chǎn)生向上的力;所述輔助投料熔煉室坩堝(18)下側(cè)設(shè)置有輔助投料熔煉下料口加熱器(15),所述輔助投料熔煉下料口加熱器(15)的外周設(shè)置有輔助投料熔煉下料口感應(yīng)線圈(14),所述輔助投料熔煉室坩堝(18)的上側(cè)的外周設(shè)置有輔助投料熔煉室主加熱器(16),所述輔助投料熔煉室主加熱器(16)的外周設(shè)置有輔助投料熔煉室主感應(yīng)線圈(17),所述輔助投料熔煉室坩堝(18)的上端開(kāi)口處設(shè)置有輔助投料熔煉室熔體下壓電磁約束感應(yīng)器(21),用于對(duì)熔體產(chǎn)生向下的力;所述輔助投料熔煉室坩堝(18)的下料口位于所述主熔煉室坩堝(9)的正上方;所述輔助投料熔煉室坩堝(18)的底部通過(guò)連通管與所述主熔煉室(5)相連通,所述輔助投料熔煉下料口加熱器(15)設(shè)置在所述連通管的周?chē)?/p>
2.權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長(zhǎng)裝置,其特征在于:所述主熔煉室坩堝(9)的下側(cè)設(shè)置有坩堝水冷系統(tǒng)(10)。
3.如權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長(zhǎng)裝置,其特征在于:所述主熔煉室(5)內(nèi)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)裝置,所述驅(qū)動(dòng)裝置的動(dòng)力輸出端與所述主電磁約束感應(yīng)器(7)連接,用于驅(qū)動(dòng)所述主電磁約束感應(yīng)器(7)上下運(yùn)動(dòng)。
4.如權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長(zhǎng)裝置,其特征在于:所述主熔煉室坩堝(9)的下側(cè)設(shè)置有重量傳感器,用于感應(yīng)所述主熔煉室坩堝(9)的總重量。
5.如權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長(zhǎng)裝置,其特征在于:所述主熔煉室(5)的側(cè)壁上設(shè)置有與其連通的保護(hù)氣體管路,所述保護(hù)氣體管路上設(shè)置有第一閥體(6),通過(guò)所述保護(hù)氣體管路向所述主熔煉室(5)內(nèi)充入保護(hù)氣體。
6.如權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長(zhǎng)裝置,其特征在于:所述主熔煉室(5)的頂部設(shè)置有第一壓力表(3),所述第一壓力表(3)用于測(cè)量所述主熔煉室(5)內(nèi)氣壓。
7.如權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長(zhǎng)裝置,其特征在于:所述輔助投料熔煉室(4)通過(guò)輔助投料熔煉室爐蓋(2)進(jìn)行密封。
8.如權(quán)利要求7所述的硅晶體的連續(xù)生長(zhǎng)裝置,其特征在于:所述爐蓋(2)上設(shè)置有與所述輔助投料熔煉室(4)相連通的抽氣管以及第二壓力表(1),所述抽氣管上設(shè)置有第二閥體(20)。
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