[發(fā)明專利]硅晶體的連續(xù)生長裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810707594.8
• 申請日: 2017-12-17
• 公開（公告）號: CN108754610B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉興金瑞光伏科技有限公司
• 主分類號: C30B30/04
• 分類號: C30B30/04;C30B29/02
• 代理公司: 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33253
• 代理人: 李伊飏

1.一種硅晶體的連續(xù)生長裝置，其特征在于：包括主熔煉室(5)，所述主熔煉室(5)的上側(cè)設(shè)有輔助投料熔煉室(4)，所述輔助投料熔煉室(4)正下側(cè)的主熔煉室(5)內(nèi)設(shè)置有主熔煉室坩堝(9)，所述主熔煉室坩堝(9)的外周設(shè)置有主熔煉室加熱器(8)，所述主熔煉室加熱器(8)的上側(cè)圓周設(shè)置有主電磁約束感應(yīng)器(7)，所述主電磁約束感應(yīng)器(7)用于使主熔煉室坩堝(9)內(nèi)的熔體表面向上凸起，控制器驅(qū)動(dòng)所述主電磁約束感應(yīng)器(7)上升；

所述輔助投料熔煉室(4)內(nèi)設(shè)置有輔助投料熔煉室坩堝(18)，所述輔助投料熔煉室坩堝(18)的底部與所述主熔煉室(5)相連通，所述主熔煉室(5)內(nèi)輔助投料熔煉室坩堝的下料口的外周設(shè)置有輔助投料熔煉下料口電磁約束感應(yīng)器(13)，所述下料口電磁約束感應(yīng)器用于對熔體產(chǎn)生向上的力；所述輔助投料熔煉室坩堝(18)下側(cè)設(shè)置有輔助投料熔煉下料口加熱器(15)，所述輔助投料熔煉下料口加熱器(15)的外周設(shè)置有輔助投料熔煉下料口感應(yīng)線圈(14)，所述輔助投料熔煉室坩堝(18)的上側(cè)的外周設(shè)置有輔助投料熔煉室主加熱器(16)，所述輔助投料熔煉室主加熱器(16)的外周設(shè)置有輔助投料熔煉室主感應(yīng)線圈(17)，所述輔助投料熔煉室坩堝(18)的上端開口處設(shè)置有輔助投料熔煉室熔體下壓電磁約束感應(yīng)器(21)，用于對熔體產(chǎn)生向下的力；所述輔助投料熔煉室坩堝(18)的下料口位于所述主熔煉室坩堝(9)的正上方；所述輔助投料熔煉室坩堝(18)的底部通過連通管與所述主熔煉室(5)相連通，所述輔助投料熔煉下料口加熱器(15)設(shè)置在所述連通管的周圍。

2.權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長裝置，其特征在于：所述主熔煉室坩堝(9)的下側(cè)設(shè)置有坩堝水冷系統(tǒng)(10)。

3.如權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長裝置，其特征在于：所述主熔煉室(5)內(nèi)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)裝置，所述驅(qū)動(dòng)裝置的動(dòng)力輸出端與所述主電磁約束感應(yīng)器(7)連接，用于驅(qū)動(dòng)所述主電磁約束感應(yīng)器(7)上下運(yùn)動(dòng)。

4.如權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長裝置，其特征在于：所述主熔煉室坩堝(9)的下側(cè)設(shè)置有重量傳感器，用于感應(yīng)所述主熔煉室坩堝(9)的總重量。

5.如權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長裝置，其特征在于：所述主熔煉室(5)的側(cè)壁上設(shè)置有與其連通的保護(hù)氣體管路，所述保護(hù)氣體管路上設(shè)置有第一閥體(6)，通過所述保護(hù)氣體管路向所述主熔煉室(5)內(nèi)充入保護(hù)氣體。

6.如權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長裝置，其特征在于：所述主熔煉室(5)的頂部設(shè)置有第一壓力表(3)，所述第一壓力表(3)用于測量所述主熔煉室(5)內(nèi)氣壓。

7.如權(quán)利要求1所述的硅晶體的連續(xù)生長裝置，其特征在于：所述輔助投料熔煉室(4)通過輔助投料熔煉室爐蓋(2)進(jìn)行密封。

8.如權(quán)利要求7所述的硅晶體的連續(xù)生長裝置，其特征在于：所述爐蓋(2)上設(shè)置有與所述輔助投料熔煉室(4)相連通的抽氣管以及第二壓力表(1)，所述抽氣管上設(shè)置有第二閥體(20)。