[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201810706963.1
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN109004024A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 劉江;金銳;崔磊;王耀華;高明超;趙哿;吳鵬飛;張璧君;溫家良;潘艷
• 申請（專利權）人: 全球能源互聯網研究院有限公司;國家電網有限公司;國網河北省電力有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 吳黎

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一襯底；

在所述第一襯底的表面形成第一阱區；

在所述第一阱區中形成第二阱區；

提供第二襯底，所述第二襯底導電類型與所述第一襯底導電類型相同；

在所述第二襯底的表面形成第三阱區；

將所述第一襯底未形成阱的表面和所述第二襯底未形成阱的表面進行鍵合。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，將所述第一襯底未形成阱的表面和所述第二襯底未形成阱的表面進行鍵合包括：

分別對所述第一襯底和所述第二襯底進行表面清潔處理；

在室溫下對所述第一襯底未形成阱的表面和所述第二襯底未形成阱的表面進行預鍵合；

在小于1000℃的溫度條件下對經過預鍵合的所述第一襯底和所述第二襯底繼續進行鍵合。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，在300℃～450℃溫度條件下對經過預鍵合的所述第一襯底和所述第二襯底繼續進行鍵合。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，將所述第一襯底未形成阱的表面和所述第二襯底未形成阱的表面進行鍵合包括：

分別對所述第一襯底和所述第二襯底進行表面進行親水性預處理；在室溫下對所述第一襯底和所述第二襯底進行鍵合；

然后對鍵合后的所述第一襯底和所述第二襯底在1000℃高溫下進行退火。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括：

在所述第一襯底的非鍵合表面沉積金屬層，并對所述金屬層進行圖形化，形成第一襯底表面電極；

在所述第二襯底的非鍵合表面沉積金屬層，并對所述金屬層進行圖形化，形成第二襯底電極。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述第一襯底的表面形成終端；

在所述第二襯底的表面形成終端。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述第一襯底的表面形成終端包括：從所述第一襯底的與所述阱在一側的表面對所述第一襯底進行離子注入或摻雜，以在所述第一襯底的表面形成與所述第一襯底導電類型相反的多個摻雜區；在所述第二襯底的表面形成終端包括：從所述第二襯底的與所述阱在一側的表面對所述第二襯底進行離子注入或摻雜，以在所述第二襯底的表面形成與所述第二襯底導電類型相反的多個摻雜區。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述第一襯底的表面形成終端還包括：從所述第一襯底的與所述阱在一側的表面對所述第一襯底進行離子注入或摻雜，以在所述第一襯底的表面形成與所述第一襯底導電類型相同的多個摻雜區；在所述第二襯底的表面形成終端包括：從所述第二襯底的與所述阱在一側的表面對所述第二襯底進行離子注入或摻雜，以在所述第二襯底的表面形成與所述第二襯底導電類型相同的多個摻雜區。

9.一種半導體器件，其特征在于，包括：

漂移區，所述漂移區由第一襯底和第二襯底直接鍵合形成；

第一阱區，所述第一阱區至少為兩個，所述第一阱區形成在所述漂移區內靠近所述第一襯底表面一側；

第二阱區，所述第二阱區形成在所述第一阱區內，與所述第一阱區導電類型相反；

第三阱區，所述第三阱區形成在所述漂移區內靠近所述第二襯底表面一側。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

正面終端結構，所述正面終端結構形成在所述漂移區形成有所述第一阱區的表面；

背面終端結構，所述背面終端結構形成在所述漂移區形成有所述第三阱區的表面。