[發明專利]一種晶體硅太陽能電池的擴散工藝

在審

• 申請號: 201810706918.6
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN109103081A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 勵小偉;梁海;賴儒丹
• 申請（專利權）人: 浙江啟鑫新能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223;H01L31/18
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 胡擁軍;糜婧

1.一種晶體硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1.將擴散爐預熱至780～800℃，并通氮氣；

S2.將制絨清洗后的硅片送入所述擴散爐內，保持所述擴散爐的溫度在750～780℃，同時通氮氣；

S3.將所述擴散爐保持在750～800℃，以18～20L/min的流量通入氮氣，以0.5～1.5L/min的流量通入氧氣，氧氣與硅片表面的硅反應生成一層二氧化硅層；

S4.將所述擴散爐保持在750～800℃，以18～20L/min的流量通入氮氣，以0.3～0.5L/min的流量通入氧氣，以0.3～0.5L/min的流量通入三氯氧磷源，時間為200～400s；

S5.將所述擴散爐保持在750～800℃，以14～20L/min的流量通入氮氣，以0.5～0.8L/min的流量通入氧氣，以0.7～1.0L/min的流量通入三氯氧磷源，時間為600～800s；

S6.將所述擴散爐升溫并保持在810～850℃，通氮氣，時間為500～700s；

S7.將所述擴散爐保持在810～850℃，以15～20L/min的流量通入氮氣，以0.5～0.8L/min的流量通入氧氣，以1.4～2.0L/min的流量通入三氯氧磷源，時間為400～600s；

S8.將所述擴散爐保持在810～850℃，通氮氣，時間為100～200s；

S9.將所述擴散爐降溫并保持在700～780℃，以20～30L/min的流量通入氮氣，以1～2L/min的流量通入氧氣，時間為600～1200s；

S10.將所述擴散爐保持在780～800℃，通氮氣，退舟。

2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，步驟S1中，將擴散爐預熱至780～800℃，以20L/min的流量通入氮氣，時間為5s。

3.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，步驟S2中，將制絨清洗后的硅片送入所述擴散爐內，保持所述擴散爐的溫度在750～780℃，以20L/min的流量通入氮氣，時間為300s。

4.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，步驟S3的時間為300s。

5.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，步驟S10中，將所述擴散爐保持在780～800℃，以20L/min的流量通入氮氣，時間為300～500s。

6.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，還包括步驟S11.將所述擴散爐保持在780～800℃，以15～20L/min的流量通入氮氣，時間為5s。

7.根據權利要求1-6任一所述的晶體硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，步驟S6中，溫度從爐口到爐尾保持在840℃、835℃、835℃、830℃、830℃。

8.根據權利要求7所述的晶體硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，步驟S7中，溫度從爐口到爐尾保持在840℃、835℃、835℃、830℃、830℃。

9.根據權利要求8所述的晶體硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，步驟S8中，溫度從爐口到爐尾保持在840℃、835℃、835℃、830℃、830℃。

10.根據權利要求9所述的晶體硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，步驟S1、S2、S3、S4、S5、S9、S10中，所述擴散爐的爐口到爐尾溫度一致。