[發明專利]一種超薄抗EMI薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201810706806.0
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN108617161A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 白國華
• 申請（專利權）人: 白國華
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超薄抗EMI薄膜，其特征在于：

其結構為基材/金屬反射層/復合梯度層；

所述的基材為PE、PVC、PET、OPP、PP、PA、PC、PU、PPO、PI、PTFE、銅箔、鋁箔、錫箔中的一種，或玻璃基板，或電子元器件；

所述的金屬反射層為Ag、Cu、Al、Au、Ni、石墨中的一種，厚度為0.05~2μm；

所述的復合梯度層具有亞層結構，厚度為0.5~10μm，包含多層磁性體和介電體的復合層；

所述的復合梯度層，磁性體體積分數由內向外遞減；

所述的磁性體和介電體的復合層中，磁性體以納米顆粒的形式彌散在介電體基體中，納米顆粒尺寸為2~100nm；

所述的磁性體為過渡族金屬Fe、Co、Ni、Mn及其與其他元素形成的合金，或者稀土軟磁合金；

所述的介電體為氧化物、氮化物、氟化物、硼化物或者有機大分子高聚物。

2.根據權利要求1所述的一種超薄抗EMI薄膜，其特征在于其磁性能為：截止頻率fr高于1GHz，磁導率μ_i高于100，吸收帶寬Δf不小于1GHz。

3.一種超薄抗EMI薄膜的制備方法，其特征在于采用磁控濺射、脈沖激光沉積、電子束沉積、真空蒸鍍、化學鍍的一種來制備金屬反射層。

4.一種超薄抗EMI薄膜的制備方法，其特征在于采用磁控濺射、脈沖激光沉積、反應磁控濺射、反應脈沖激光沉積、真空蒸鍍中的一種來制備復合梯度層。

5.一種超薄抗EMI薄膜的制備方法，其特征在于制備復合梯度層時，所述的磁控濺射、脈沖激光沉積、真空蒸鍍的靶材同時包含磁性體靶材和介電體靶材：磁性體靶材為過渡族金屬Fe、Co、Ni、Mn及其與其他元素形成的合金，或者稀土軟磁合金；介電體靶材為氧化物、氮化物、氟化物、硼化物或者有機大分子高聚物。

6.一種超薄抗EMI薄膜的制備方法，其特征在于所述的反應磁控濺射、反應脈沖激光沉積的靶材中含有稀土金屬、Al、Zr、Hf、Si、B、Zn、Ti、Nb、Ta、V中的至少一種。

7.一種超薄抗EMI薄膜的制備方法，其特征在于所述的反應磁控濺射、反應脈沖激光沉積是在氧氣或者氮氣氣氛中進行的，氧氣或氮氣分壓不高于100mtorr。

8.一種超薄抗EMI薄膜的制備方法，其特征在于制備金屬反射層、復合梯度層時，溫度不高于700度。