[發明專利]一種異質結背接觸太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201810705914.6
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN108735828A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 盧剛;張敏;劉飛;何風琴;鄭路;錢俊;王旭輝;楊勇州;楊振英
• 申請（專利權）人: 黃河水電光伏產業技術有限公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司光伏產業技術分公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/076;H01L31/20
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種異質結背接觸太陽能電池，包括N型晶硅襯底(1)，所述N型晶硅襯底(1)的背光面上依次設置有第一本征非晶硅層(2)、第一摻雜非晶硅層(3)和電極層(4)，所述第一摻雜非晶硅層(3)包括交錯排布的N型摻雜區(31)和P型摻雜區(32)，其特征在于，所述電極層(4)和所述第一摻雜非晶硅層(3)之間設有透明導電薄膜層(5)，所述透明導電薄膜層(5)包括依次設置在所述第一摻雜非晶硅層(3)上的第一薄膜層(51)和第二薄膜層(52)，所述第一薄膜層(51)的功函數大于所述第二薄膜層(52)的功函數，所述第一薄膜層(51)的功函數不小于5eV。

2.根據權利要求1所述的異質結背接觸太陽能電池，其特征在于，所述第一薄膜層(51)的功函數為5eV～6eV。

3.根據權利要求2所述的異質結背接觸太陽能電池，其特征在于，所述第一薄膜層(51)的材料為IZTO，所述第二薄膜層(52)的材料為ITO。

4.根據權利要求3所述的異質結背接觸太陽能電池，其特征在于，所述第一薄膜層(51)的厚度為80～120nm。

5.根據權利要求3所述的異質結背接觸太陽能電池，其特征在于，所述第二薄膜層(52)厚度為20～50nm。

6.根據權利要求1所述的異質結背接觸太陽能電池，其特征在于，所述電極層(4)包括負電極(41)和正電極(42)，所述負電極(41)電性連接到所述N型摻雜區(31)，所述正電極(42)電性連接到所述P型摻雜區(32)。

7.根據權利要求1-6任一所述的異質結背接觸太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池還包括依次設置在所述N型晶硅襯底(1)的受光面上的第二本征非晶硅層(6)、第二摻雜非晶硅層(7)和減反射層(8)。

8.一種如權利要求1-7任一所述的異質結背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括步驟：

S1、提供一N型晶硅襯底(1)，在所述N型晶硅襯底(1)的背光面和受光面分別制備形成第一本征非晶硅層(2)和第二本征非晶硅層(6)；

S2、在所述第一本征非晶硅層(2)上制備形成第一摻雜非晶硅層(3)；

S3、在所述第二本征非晶硅層(6)上制備形成第二摻雜非晶硅層(7)；

S4、在所述第二摻雜非晶硅層(7)上制備形成減反射層(8)；

S5、在所述第一摻雜非晶硅層(3)上制備形成透明導電薄膜層(5)；

S6、在所述透明導電薄膜層(5)上制備形成電極層(4)。

9.根據權利要求8所述的異質結背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S5具體包括：

S51、在所述第一摻雜非晶硅層(3)上采用低溫PVD工藝制備形成第一薄膜層(51)；

S52、在所述第一薄膜層(51)上采用PVD工藝制備形成第二薄膜層(52)。

10.根據權利要求8所述的異質結背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：

S21、在所述第一本征非晶硅層(2)上形成圖形化的P型摻雜區(32)；

S22、對所述P型摻雜區(32)進行圖形化遮擋；

S23、在所述第一本征非晶硅層(2)上形成圖形化的N型摻雜區(31)。