[發(fā)明專利]一種介孔型鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810702910.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108922970B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 壽春暉;沈黎麗;沈曲;鄔榮敏;丁莞爾;邵君;趙慶寶;陳宗琦;楊松旺;戴豪波;徐軼倫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江浙能技術(shù)研究院有限公司;浙江天地環(huán)保科技股份有限公司;中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號(hào): | H10K30/10 | 分類號(hào): | H10K30/10;H10K85/50;H10K71/00 |
| 代理公司: | 上海瀚橋?qū)@硎聞?wù)所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;熊子君 |
| 地址: | 310052 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 孔型 鈣鈦礦 太陽(yáng)能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種介孔型鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,依次在透明導(dǎo)電基底上制備空穴阻擋層、介孔支架層、鈣鈦礦光吸收層和碳基對(duì)電極;
所述介孔支架層為氧化鈦和氧化鋯的混合氧化物薄膜,所述介孔支架層中氧化鈦和氧化鋯的質(zhì)量比為1:(0.1~2);
所述介孔支架層的厚度為300~400nm,所述鈣鈦礦光吸收層的厚度為300~400nm;
所述介孔支架層的制備方法包括:制備氧化鈦和氧化鋯的混合漿料;將所得混合漿料涂覆在空穴阻擋層上,在500~510℃下煅燒30~40分鐘,得到介孔支架層;
所述混合漿料的制備方法包括:
(1)分別將氧化鈦和氧化鋯分散于乙醇中,再加入粘結(jié)劑和溶劑,經(jīng)混合后去除乙醇,得到氧化鈦漿料和氧化鋯漿料;
所述粘結(jié)劑與氧化鈦或氧化鋯的質(zhì)量比為(0.3~0.4):1;所述溶劑與氧化鈦或氧化鋯的質(zhì)量比為(3.6~4.0):1;
(2)將所得氧化鈦漿料和氧化鋯漿料按照氧化鈦和氧化鋯的質(zhì)量比經(jīng)混合和脫泡后,再加入乙醇,得到混合漿料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介孔型鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,所述介孔支架層中氧化鈦和氧化鋯的質(zhì)量比為1:(0.5~1)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介孔型鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,所述碳基對(duì)電極為以碳材料為主要材料的多孔薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的介孔型鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,所述碳材料為片狀石墨、碳黑、碳纖維、石墨烯、碳納米管及其摻雜物中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介孔型鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,所述空穴阻擋層為金屬氧化物薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的介孔型鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,所述空穴阻擋層為氧化鈦及其摻雜物、氧化鋅及其摻雜物、氧化鈷及其摻雜物、氧化鎳及其摻雜物中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介孔型鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,所述空穴阻擋層的厚度為30~50nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介孔型鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,所述鈣鈦礦光吸收層的化學(xué)組成為ABX3,其中A為有機(jī)胺的陽(yáng)離子,B為Pb2+、Sn2+、Ge2+、Co2+、Fe2+、Mn2+、Cu2+、和Ni2+中的至少一種,X為Cl?、Br?、I? 中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的介孔型鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,所述有機(jī)胺的陽(yáng)離子為CH3NH3+、NH2-CH=NH2+和C4H9NH3+中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介孔型鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,所述透明導(dǎo)電基底為含氟氧化錫透明導(dǎo)電基底、氧化銦錫透明導(dǎo)電玻璃ITO中的一種。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江浙能技術(shù)研究院有限公司;浙江天地環(huán)保科技股份有限公司;中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,未經(jīng)浙江浙能技術(shù)研究院有限公司;浙江天地環(huán)保科技股份有限公司;中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810702910.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





