[發(fā)明專利]一種PTFE基PCB覆銅板及覆銅方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810700412.4 | 申請日: | 2018-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN108684151A | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張軍然;徐永兵;張勇;王倩 | 申請(專利權(quán))人: | 南京大學(xué) |
| 主分類號: | H05K3/02 | 分類號: | H05K3/02;B32B27/32;B32B27/04;B32B15/20;B32B15/085;B32B37/10;B32B37/06;B32B38/08;B32B38/00 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陳建和 |
| 地址: | 210093 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬薄膜 覆銅 電子束蒸鍍 半固化片 銅箔 蒸鍍 蒸鍍條件 鎳薄膜 鈦薄膜 壓合 薄膜 剝離 | ||
本發(fā)明公開了一種PTFE基PCB覆銅板及覆銅方法,主要包括:采用電子束蒸鍍的方法在PTFE半固化片的上下兩個表面先蒸鍍一層金屬薄膜,采用電子束蒸鍍的方法在PTFE半固化片的上下兩個表面先蒸鍍一層金屬薄膜,然后再放置于兩片銅箔間進(jìn)行壓合覆銅,其中金屬薄膜可以是鈦薄膜,也可以是鎳薄膜,根據(jù)所覆薄膜選擇合適的蒸鍍條件。通過此方法得到的PTFE基PCB覆銅板的銅箔剝離強(qiáng)度明顯提高,為5G時代對PCB板的更高要求打下基礎(chǔ)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種PTFE基PCB覆銅板及覆銅方法,屬于PCB覆銅板的制備領(lǐng)域。
背景技術(shù)
印制電路板(Printed Circuit Board,PCB),是重要的電子部件,是電子元器件的支撐體,是電子元器件電氣連接的載體。隨著電子信息技術(shù)發(fā)展的不斷進(jìn)步,電子設(shè)備高頻化是發(fā)展趨勢,尤其隨著無線網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通訊的日益發(fā)展,信息產(chǎn)品在不斷走向高速與高頻化。發(fā)展新一代產(chǎn)品都需要高頻PCB板,尤其衛(wèi)星系統(tǒng)、移動電話接收基站等通信產(chǎn)品必須應(yīng)用高頻電路板,隨著這些應(yīng)用在未來幾年內(nèi)迅速發(fā)展,會對高頻PCB板有大量需求。
覆銅板是PCB的基本材料,由于隨著應(yīng)用頻率的升高,PCB對覆銅板的質(zhì)量要求也越來越高。高質(zhì)量的覆銅板是提高PCB板性能的關(guān)鍵。PTFE基覆銅板中一個非常關(guān)鍵的技術(shù)是PTFE半固化片與銅片的壓合,常規(guī)的壓合覆銅方法非常容易引起銅片附著不牢固,從而容易脫落或者起泡,影響PCB板銅線中信號的傳輸,尤其是對于高頻信息的傳輸影響更大。因此本領(lǐng)域技術(shù)人員致力于開發(fā)一種能使銅片與PTFE半固化片牢固結(jié)合的方法,為5G時代對PCB板的更高要求打下基礎(chǔ)。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,本發(fā)明提供一種PTFE基PCB覆銅板及覆銅方法,采用電子束蒸鍍的方法在PTFE半固化片的上下兩個表面先蒸鍍一層金屬薄膜,然后再放置于兩片銅箔間進(jìn)行壓合覆銅,大大提高PTFE基PCB覆銅板的銅箔剝離強(qiáng)度,為5G時代對PCB板的更高要求打下基礎(chǔ)。
技術(shù)方案:為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
一種PTFE基PCB覆銅板,包括PTFE半固化片、銅箔,PTFE半固化片與銅箔之間有一層用電子束蒸鍍方法得到的金屬薄膜。
進(jìn)一步的,所述金屬薄膜為金屬鈦薄膜或者金屬鎳薄膜,且金屬鈦薄膜的生長厚度為200-500nm,金屬鎳薄膜的生長厚度為150-300nm。
進(jìn)一步的,所述上下兩層銅箔與夾在銅箔間的上下兩層金屬薄膜、PTFE半固化片之間對齊壓合連接。
本發(fā)明的工作原理為:用電子束蒸鍍的方法在PTFE半固化片的上下兩個表面先蒸鍍一層金屬薄膜,然后再放置于兩片銅箔間進(jìn)行壓合覆銅,其中金屬薄膜可以是鈦薄膜,也可以是鎳薄膜。通過此方法得到的PTFE基PCB覆銅板的銅箔剝離強(qiáng)度明顯提高。
本發(fā)明提供的所述PTFE基PCB覆銅板的覆銅方法,包括以下步驟:
S1:將裁剪好的玻璃纖維布浸漬到PTFE乳液中,浸漬5-10分鐘后,取出烘干,得到PTFE半固化片;
S2:將步驟S1中得到的PTFE半固化片放置于電子束蒸鍍腔體中,進(jìn)行金屬薄膜蒸鍍;
S3:將步驟S2中得到的樣品的上下兩面放上銅箔,放到熱壓爐中進(jìn)行熱壓;
S4:步驟S3過程結(jié)束后,自然降溫至室溫,然后卸壓,卸壓速度小于0.1MPa/s,將壓合好的PTFE基PCB覆銅板從熱壓爐中取出,得到最后所要的樣品。
進(jìn)一步的,所述步驟S1中PTFE乳液的固含量大于50%,PH值為9-10,且烘干溫度為250℃,烘干時間為15-20分鐘。
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