[發(fā)明專利]一種配合糾錯(cuò)磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器使用的緩存系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810699312.4
• 申請(qǐng)日: 2018-06-29
• 公開（公告）號(hào): CN110660422A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王春林;戴瑾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海磁宇信息科技有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/16
• 分類號(hào): G11C11/16
• 代理公司: 31287 上海容慧專利代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 于曉菁

1.一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，包括MRAM存儲(chǔ)模塊、錯(cuò)誤檢測(cè)和矯正電路、控制電路、緩存，所述控制電路接受讀寫操作指令并控制所述錯(cuò)誤檢測(cè)和矯正電路與所述緩存；

讀寫數(shù)據(jù)時(shí)，所述控制電路首先檢測(cè)該數(shù)據(jù)是否在所述緩存中：若該數(shù)據(jù)已在所述緩存中，則直接對(duì)所述緩存中的該數(shù)據(jù)進(jìn)行操作；若該數(shù)據(jù)不在所述緩存中，則所述控制電路將所述MRAM存儲(chǔ)模塊中已存有的數(shù)據(jù)讀出并經(jīng)過(guò)所述錯(cuò)誤檢測(cè)和校正電路處理后寫入所述緩存并返回給外部電路；

N個(gè)比特的主體碼經(jīng)所述錯(cuò)誤檢測(cè)和矯正電路處理后產(chǎn)生K個(gè)比特的糾錯(cuò)碼，所述N個(gè)比特的主體碼稱為長(zhǎng)字，包含在所述長(zhǎng)字內(nèi)且比N個(gè)比特短的字稱為短字；

若要寫的數(shù)據(jù)為長(zhǎng)字，所述控制電路將該數(shù)據(jù)寫入所述緩存中并經(jīng)過(guò)所述錯(cuò)誤檢測(cè)和校正電路處理后寫入所述MRAM存儲(chǔ)模塊；

若要寫的數(shù)據(jù)為短字，所述控制電路將所述MRAM存儲(chǔ)模塊中已存有的數(shù)據(jù)讀出并經(jīng)過(guò)所述錯(cuò)誤檢測(cè)和矯正電路處理，再把要寫入的數(shù)據(jù)與所述已存有的數(shù)據(jù)合并成新數(shù)據(jù)，然后由所述錯(cuò)誤檢測(cè)和矯正電路處理產(chǎn)生新校驗(yàn)位，將所述新數(shù)據(jù)和所述新校驗(yàn)位一并寫入所述MRAM存儲(chǔ)模塊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，外部讀所述長(zhǎng)字時(shí)，所述長(zhǎng)字經(jīng)過(guò)所述錯(cuò)誤檢測(cè)和矯正電路處理后存儲(chǔ)在所述緩存中并返回給外部電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，外部讀所述短字時(shí)，將包含所述短字的長(zhǎng)字的全部N個(gè)比特的主體碼讀出，再經(jīng)過(guò)所述錯(cuò)誤檢測(cè)和矯正電路處理，然后將處理結(jié)果保留在所述緩存中并返回給外部電路。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，所述錯(cuò)誤檢測(cè)和矯正電路采用BCH或其他編碼方法。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，所述緩存的容量能夠存儲(chǔ)至少一個(gè)所述長(zhǎng)字。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，所述控制電路為中央處理器、單片機(jī)或者專用電路。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，所述緩存集成在所述中央處理器或者所述單片機(jī)內(nèi)。