[發明專利]柔性AMOLED顯示面板及其制造方法在審
| 申請號: | 201810698135.8 | 申請日: | 2018-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN108899340A | 公開(公告)日: | 2018-11-27 |
| 發明(設計)人: | 白思航 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 緩沖層 階梯槽 介電層 緩沖區 基板 柵極絕緣層 非顯示區 綁定區 基板連接 間隔設置 階梯結構 依次層疊 槽側壁 金屬層 金屬區 顯示區 凹設 底壁 覆蓋 制造 | ||
1.一種柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,包括基板,所述基板包括顯示區和非顯示區,位于所述非顯示區上,所述基板上依次層疊有緩沖層、柵極絕緣層及介電層以及由所述介電層向所述緩沖層凹設的階梯槽,所述階梯槽的兩個相對槽側壁的為所述緩沖層、柵極絕緣層、介電層形成的階梯結構,所述階梯槽的底壁為所述緩沖層凹設形成,所述介電層上及階梯槽內還層疊有金屬走線層,所述金屬走線層覆蓋所述介電層和階梯槽的底壁和槽側壁。
2.根據權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述階梯槽的底壁上設有多個間隔的缺口,所述金屬走線層的走線包括多個間隔通孔,所述缺口與所述通孔相對且貫通。
3.根據權利要求2所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述柵極絕緣層上凹設有第一通槽,介電層上凹設有第三通槽和位于第三通槽內的第二通槽,所述凹槽、第一通槽,第二通槽和第三通槽沿著垂直所述基板的方向依次連通形成所述階梯槽;露出所述第一通槽的緩沖層為第一臺階,露出所述第二通槽的柵極絕緣層為第二臺階,露出第三通槽的部分介質層為第三臺階,所述介質層與金屬層連接的部分為第四臺階,所述金屬層覆蓋所述第一臺階、第二臺階、第三臺階及第四臺階。
4.根據權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板,其特征在于,所述基板包括兩層柔性材料層和層疊于兩層柔性材料層之間的隔熱層。
5.根據權利要求1所述的柔性AMOLED顯示面板制作方法,其特征在于,所述階梯槽的底壁的厚度為200nm。
6.一種柔性AMOLED顯示面板制作方法,其特征在于,包括在基板上依次形成緩沖層、柵極絕緣層和介電層;
通過圖案化工藝在所述介電層上形成第三通槽,其中第三通槽貫穿部分介電層;
對露出所述第三通槽的另一部分介電層進行圖案化,形成貫穿介電層的第二通槽;
對露出所述第二通槽的柵極絕緣層進行圖案化,在所述柵極絕緣層上形成第一通槽;
對露出所述第一通槽的緩沖層進行圖案化,在所述緩沖層上形成凹槽,其中凹槽的底壁為部分緩沖層,所述凹槽、第一通槽、第二通槽、第三通槽形成階梯槽;
在所述階梯槽內及介電層上形成金屬走線層,其中所述金屬走線層的走線設有多個通孔,
對位于露出所述通孔的凹槽的底壁進行光罩,形成多個間隔設置的缺口。
7.根據權利要求6所述的柔性AMOLED顯示面板制作方法,其特征在于,對露出所述第一通槽的緩沖層進行圖案化,在所述緩沖層上形成凹槽的步驟中,所述凹槽的底壁為被圖案化后剩余的緩沖層,其厚度為200nm。
8.根據權利要求6所述的柔性AMOLED顯示面板制作方法,其特征在于,所述金屬層上還形成有封裝層,所述封裝層覆蓋所述金屬走線層及所述底壁的缺口。
9.根據權利要求6所述的柔性AMOLED顯示面板制作方法,其特征在于,所述柵極絕緣層包括層疊設置的第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層。
10.根據權利要求6所述的柔性AMOLED顯示面板制作方法,其特征在于,所述緩沖層的厚度為
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電半導體顯示技術有限公司,未經武漢華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810698135.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:顯示面板和顯示裝置
- 下一篇:一種顯示面板及顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





