[發明專利]一種Te/MoS2

有效

• 申請號: 201810697981.8
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN109065662B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 何軍;李寧寧
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: H01L31/109
• 分類號: H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;吳歡燕

1.一種Te/MoS₂范德華異質結構，其特征在于，包括MoS₂納米片層和Te納米線層，所述Te納米線層外延生長在所述MoS₂納米片層表面，所述Te納米線層由多條Te納米線構成，所述Te納米線的長度為2～10μm，厚度為20～100nm；所述MoS₂納米片層為單層MoS₂納米片，所述MoS₂納米片厚度為0.8nm。

2.根據權利要求1所述的一種Te/MoS₂范德華異質結構，其特征在于，所述Te納米線的長度為2～5μm；

和/或，所述Te納米線的厚度為30～80nm。

3.根據權利要求1或2所述的一種Te/MoS₂范德華異質結構，其特征在于，還包括基底，所述MoS₂納米片層平行生長在所述基底上，所述基底優選為硅片。

4.權利要求1～3任一項所述的一種Te/MoS₂范德華異質結構的制備方法，其特征在于，包括：利用物理氣相沉積法在所述MoS₂納米片層的表面外延生長所述Te納米線層。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述物理氣相沉積法具體包括：將所述MoS₂納米片層和Te粉分別置于單溫區管式爐的下游和上游，持續通入氬氣，使所述Te粉在所述MoS₂納米片層的表面外延生長成所述Te納米線層。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述單溫區管式爐的下游溫度為180～250℃；

和/或，所述單溫區管式爐的上游溫度為280～320℃。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述單溫區管式爐的下游溫度為220℃；

和/或，所述單溫區管式爐的上游溫度為300℃。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述通入氬氣的流量為30～50sccm；

和/或，所述外延生長時間為15～30min。

9.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，還包括：所述MoS₂納米片層通過化學氣相沉積法制備得到。

10.權利要求1～3任一項所述的一種Te/MoS₂范德華異質結構或權利要求4～9任一項所述的制備方法在紅外探測方面的應用。